"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Выращивание монокристаллов FeIn2S4 и создание фоточувствительных структур на их основе
Боднарь И.В.1, Павлюковец С.А.1, Рудь В.Ю.2, Рудь Ю.В.3
1Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
2Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 19 марта 2009 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2009 г.

Методом направленной кристаллизации близкого к стехиометрии расплава соединения впервые выращены объемные монокристаллы FeIn2S4. Созданы первые фоточувствительные структуры In(Al)/FeIn2S4. На указанных кристаллах получены первые спектры фоточувстительности новых структур при T=300 K. На основании анализа спектров фоточувствительности установлено, что краевое поглощение FeIn2S4 формируется непрямыми и прямыми межзонными переходами, а также оценены соответствующие им значения ширины запрещенной зоны. Сделан вывод о возможностях применения полученных структур в широкополосных фотопреобразователях. PACS: 72.40.+w, 85.60.Gz, 81.05.Hd
  1. B.Ch. Bairamov, V.Yu. Rud, Yu.V. Rud. MRS Bulletin, 23, 91 (1998)
  2. H.D. Lutz, M. Feher. Spectrochim. Acta, 27A, 357 (1971)
  3. Н.Н. Нифтиев, О.Б. Тагиев. ФТП, 38, 164 (2004)
  4. J.S. Blakemore. Semiconductor Statistic (N.Y., Pergamon Press, 1962)
  5. S.M. Sze. Physics of Semiconductor Devices (N.Y., Willey Interscience Publ., 1981)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.