"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Структура и оптические свойства сформированных с применением низкочастотного плазмохимического осаждения пленок SiHx : H, содержащих нанокластеры кремния
Корчагина Т.Т.1, Марин Д.В.1,2, Володин В.А.1,2, Попов А.А.3, Vergnat M.4
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
3Ярославский филиал Физико-технологического института Российской академии наук, Ярославль, Россия
4Laboratoire de Physique des Materiaux (LPM), Nancy-Universite, CNRS, Vand uvre l` es Nancy, France
Поступила в редакцию: 26 марта 2009 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2009 г.

Пленки SiNx : H разной стехиометрии были получены с применением низкочастотного плазмохимического осаждения при температурах 100 и 380oC. Варьирование стехиометрии достигалось изменением соотношения потоков аммиака и моносилана от 0.5 до 5. Пленки были исследованы с применением эллипсометрии, спектроскопии комбинационного рассеяния света, ИК-поглощения и фотолюминесценции. В пленках SiNx:H (x<4/3) были обнаружены кластеры аморфного кремния. Согласно оценкам, лишь небольшая часть избыточного кремния собирается в кластеры, а повышение температуры подложки стимулирует образование кластеров. При увеличении доли избыточного кремния в пленках наблюдается сдвиг максимума фотолюминесценции в длинноволновую область. PACS: 63.22.+m, 78.30.-j, 81.05.Gc
  1. А.В. Ржанов. Нитрид кремния в электронике (Новосибирск, Наука, СО, 1982)
  2. В.А. Гриценко. УФН, 178, 727 (2008)
  3. I.G. Austin, W.A. Jackson, T.M. Searle, P.K. Bhat. Phil. Mag. B, 52, 271 (1985)
  4. V.V. Vasilev, I.P. Mikhailovskii, K.K. Svitashev. Phys. Status Solidi A, 95, K37 (1986)
  5. Nae-Man Park, Chel-Jong Choi, Tae-Yeon Seong, Seong-Ju Park. Phys. Rev. Lett., 86, 1355 (2001)
  6. Nae-Man Park, Tae-Soo Kim, Seong Ju Park. Appl. Phys. Lett., 78, 2575 (2001)
  7. Tae-Youb Kim, Nae-Man Park, Kyung-Nyun Kim, Gun-Yong Sung, Young-Woo Ok, Tae-Yeon Seong, Chel-Jong Choi. Appl. Phys. Lett., 85, 5355 (2001)
  8. K. Yamaguchi, K. Mizushima, K. Sassa. Appl. Phys. Lett., 77, 3773 (2000)
  9. E.A. Davis, N. Piggins, S.D. Bayliss. J. Phys. C: Sol. St. Phys., 20, 4415 (1987)
  10. М.Д. Ефремов, В.А. Володин, Д.В. Марин, С.А. Аржанникова, Г.Н. Камаев, С.А. Кочубей, А.А. Попов. ФТП, 42, 202 (2008)
  11. M. Molinary, H. Rinnert, M. Vergnat. Physica E, 16, 445 (2003)
  12. M.H. Brodsky, M. Cardona, J.J. Coumo. Phys. Rev. B, 16, 3556 (1977)
  13. A. Zerga, M. Carrada, M. Amann, A. Slaoui. Physica E, 38, 21 (2007)
  14. В.А. Гриценко. Строение и электронная структура аморфных диэлектриков в кремниевых МДП- структурах (Новосибирск, Наука, СО, 1993)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.