Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Фоточувствительные структуры на монокристаллах MnIn₂S₄: создание и свойства

Боднарь И.В.¹, Рудь В.Ю.², Рудь Ю.В.³

¹Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь Belarusian State University of Informatics and Radioelectronics, Minsk, Belarus

Belarusian State University of Informatics and Radioelectronics, Minsk, Belarus

²Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

³Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 19 марта 2009 г.

Выставление онлайн: 20 октября 2009 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методом направленной кристаллизации близкого к стехиометрии расплава выращены однородные монокристаллы тройного соединения MnIn₂S₄. Решена проблема создания фоточувствительных структур и выполнены первые исследования спектров фоточувствительности, которые позволили сделать вывод о характере межзонных оптических переходов в этом полупроводнике и оценить значения ширины запрещенной зоны для прямых и непрямых переходов. Отмечены возможности применений разработанных новых структур в широкополосных фотопреобразователях оптических излучений. PACS: 72.40.+w, 85.60.Gz, 81.05.Hd

З. Метфессель, Д. Маттис. Магнитные полупроводники (М., Мир, 1972)
H.D. Lutz, M. Feher. Spectrochim. Acta, 27A, 357 (1971)
Р.Н. Бекимбетов, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, М.А. Таиров. ФТП, 21, 1051 (1987)
V.B. Sastry, B.A. Rao, P.V.M. Rao, K.S. Murthy. J. Mater. Sci. Lett., 6, 489 (1987)
N.N. Niftiev, O.A. Tagiev. Sol. St. Commun., 81, 693 (1992)
Н.Н. Нифтиев. ФТП, 38, 166 (2004)
J.S. Blakemore. Semiconductor Statistic (N.Y., Pergamon Press, 1962)
S.M. Sze. Physics of Semiconductor Devices (N.Y., Willey Interscience Publ., 1981)
Физико-химические свойства полупроводниковых веществ. Справочник, под ред. А.В. Новоселовой (М., Наука, 1979)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель