"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фоточувствительные структуры на монокристаллах MnIn2S4: создание и свойства
Боднарь И.В.1, Рудь В.Ю.2, Рудь Ю.В.3
1Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
2Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 19 марта 2009 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2009 г.

Методом направленной кристаллизации близкого к стехиометрии расплава выращены однородные монокристаллы тройного соединения MnIn2S4. Решена проблема создания фоточувствительных структур и выполнены первые исследования спектров фоточувствительности, которые позволили сделать вывод о характере межзонных оптических переходов в этом полупроводнике и оценить значения ширины запрещенной зоны для прямых и непрямых переходов. Отмечены возможности применений разработанных новых структур в широкополосных фотопреобразователях оптических излучений. PACS: 72.40.+w, 85.60.Gz, 81.05.Hd
  1. З. Метфессель, Д. Маттис. Магнитные полупроводники (М., Мир, 1972)
  2. H.D. Lutz, M. Feher. Spectrochim. Acta, 27A, 357 (1971)
  3. Р.Н. Бекимбетов, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, М.А. Таиров. ФТП, 21, 1051 (1987)
  4. V.B. Sastry, B.A. Rao, P.V.M. Rao, K.S. Murthy. J. Mater. Sci. Lett., 6, 489 (1987)
  5. N.N. Niftiev, O.A. Tagiev. Sol. St. Commun., 81, 693 (1992)
  6. Н.Н. Нифтиев. ФТП, 38, 166 (2004)
  7. J.S. Blakemore. Semiconductor Statistic (N.Y., Pergamon Press, 1962)
  8. S.M. Sze. Physics of Semiconductor Devices (N.Y., Willey Interscience Publ., 1981)
  9. Физико-химические свойства полупроводниковых веществ. Справочник, под ред. А.В. Новоселовой (М., Наука, 1979)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.