"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Межфазные взаимодействия и механизм токопереноса в омических контактах Au-TiBx-AuGe-n-GaP
Беляев А.Е.1, Болтовец Н.С.2, Иванов В.Н.2, Камалов А.Б.1, Капитанчук Л.М.3, Кладько В.П.1, Конакова Р.В.1, Кудрик Я.Я.1, Миленин В.В.1, Насыров М.У.1, Неволин П.В.1
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2Научно-исследовательский институт "Орион", Киев, Украина
3Институт электросварки им. Е.О. Патона Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 24 марта 2009 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2009 г.

Исследованы омические контакты Au-TiBx-AuGe-n-GaP до и после быстрой термической обработки при T=723, 773 и 873 K в течение 60 с в H2. Показано, что удельное контактное сопротивление с ростом температуры уменьшается в интервале 77-232 K, что обусловлено термоэлектронным механизмом токопрохождения в неоднородном омическом контакте, а в интервале 232-386 K возрастает, что может быть связано с проводимостью по металлическим шунтам. PACS: 73.40.Cg, 73.40.Ns
  1. M.H. Park, L.S. Wang, D.C. Dufner, Fei Deng, S.S. Lau, I.H. Tan, F. Kish. J. Appl. Phys., 81 (7), 3138 (1997)
  2. L.S. Wang, M.H. Park, H.A. Jorge, I.H. Tan, F. Kish. Electron. Lett., 82 (4), 409 (1996)
  3. Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг, О.В. Константинов, В.Г. Никитин, Е.А. Поссе. Письма ЖТФ, 30 (19), 17 (2004)
  4. C.F. Lin, D.B. Ingerly, Y.A. Chang. Appl. Phys. Lett., 69 (23), 3543 (1996)
  5. И.Г. Васильев, Г.Г. Боева, В.Н. Курасов, И.В. Рыжиков, И.И. Круглов. Электрон. техн., сер. 2, Полупроводниковые приборы, 3, 65 (1970)
  6. K.K. Shin, J.M. Blum. Sol. St. Electron., 15 (11), 1177 (1972)
  7. Р.С. Игнаткина, Р.Н. Кривошеева, С.С. Мескин, В.Н. Равич, Н.Ф. Сильвестрова. ПТЭ, 5, 215 (1968)
  8. А.Е. Беляев, Н.С. Болтовец, В.Н. Иванов, Р.В. Конакова, Я.Я. Кудрик, В.В. Миленин, М.У. Насыров, П.В. Неволин. Тр. XVII Межд. совещ. "Радиационная физика твердого тела", Севастополь, Украина, 2008 (М., МГИЭМ, 2008) с. 194
  9. А.Е. Беляев, Н.С. Болтовец, В.Н. Иванов, А.Б. Камалов, Л.Н. Капитанчук, В.П. Кладько, Р.В. Конакова, Я.Я. Кудрик, В.В. Миленин, М.У. Насыров, П.В. Неволин. Тр. Межд. конф. "Научно-технический прогресс и современная авиация" (Баку, Азербайджан, 2009) с. 283
  10. H. Nakatsuka, A.J. Domenico, G.L. Pearson. Sol. St. Electron., 14, 849 (1971)
  11. О.А. Агеев, А.Е. Беляев, Н.С. Болтовец, Р.В. Конакова, В.В. Миленин, В.А. Пилипенко. Фазы внедрения в технологии полупроводниковых приборов и СБИС (Харьков, НТК "Институт монокристаллов", 2008)
  12. A.E. Belyaev, N.S. Boltovets, V.N. Ivanov, V.P. Kladko, R.V. Konakova, Ya.Ya. Kudryk, V.V. Milenin, V.N. Sheremet. SPQEO, 11 (3), 209 (2008)
  13. A.G. Baca, F. Ren, J.C. Zolper, R.D. Briggs, S.J. Pearton. Thin Sol. Films, 308-309, 599 (1997)
  14. Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг. ФТП, 41 (11), 1281 (2007)
  15. А.Н. Андреев, М.Г. Растегаева, В.П. Растегаев, С.А. Решанов. ФТП, 32 (7), 832 (1998)
  16. Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг, О.В. Константинов, В.Г. Никитин, Е.А. Поссе. ФТП, 40 (10), 1204 (2006)
  17. В.Н. Бессолов, Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг, О.В. Константинов, Е.А. Поссе. ФТП, 42 (11), 1345 (2008)
  18. С.С. Стрельченко, В.В. Лебедев. Соединения A-=SUP=-III-=/SUP=-B-=SUP=-V-=/SUP=-. Справочник (М., Металлургия, 1984)
  19. Ю.А. Концевой, Ю.М. Литвинов, Э.А. Фаттахов. Пластичность и прочность полупроводниковых материалов и структур (М., Радио и связь, 1985)
  20. Х. Кухлинг. Справочник по физике (М., Мир, 1985)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.