Вышедшие номера
Фотолюминесценция наночастиц CdSe в пористом GaP
Бачериков Ю.Ю.1, Охрименко О.Б.1, Оптасюк С.В.1, Яценко Ю.И.2, Кидалов В.В.2, Коломинская Е.В.2, Ваксман Ю.Ф.3
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2Бердянский государственный педагогический университет, Бердянск, Украина
3Одесский национальный университет им. И.И. Мечникова, Одесса, Украина
Поступила в редакцию: 4 марта 2009 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2009 г.

Исследованы свойства фотолюминесценции наноструктурированных частицами CdSe (d=2.8 нм) пленок пористого GaP. Показано, что осаждение наночастиц CdSe на пленки пористого GaP приводит к сдвигу спектра фотолюминесценции наночастиц, покрытых поверхностно активным веществом, в коротковолновую область. Установлено, что нарушение целостности оболочки наночастиц CdSe из поверхностно активного вещества приводит к образованию, как минимум, двух фракций наночастиц с различными размерами. Данным фракциям соответствуют хорошо разрешенные полосы фотолюминесценции с максимумами 508 и 560 нм. PACS: 81.40.Tv, 81.05.Rm, 78.55.Mb, 81.16Rf