Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Оптические и структурные свойства тонких пленок, осажденных из золя наночастиц кремния

Дорофеев С.Г.¹, Кононов Н.Н.², Ищенко А.А.³, Васильев Р.Б.⁴, Гольдштрах М.А.³, Зайцева К.В.³, Колташев В.В.⁵, Плотниченко В.Г.⁵, Тихоневич О.В.²

¹Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (химический факультет), Москва, Россия Department of Chemistry, Lomonosov Moscow State University, Moscow, Russia

Department of Chemistry, Lomonosov Moscow State University, Moscow, Russia

²Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва, Россия Prokhorov General Physics Institute of the Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Prokhorov General Physics Institute of the Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

³Московская государственная академия тонкой химической технологии им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
⁴Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (факультет наук о материалах), Москва, Россия Department of Material Science, Lomonosov Moscow State University, Moscow, Russia

Department of Material Science, Lomonosov Moscow State University, Moscow, Russia

⁵Научный центр волоконной оптики Российской академии наук, Москва, Россия

Поступила в редакцию: 26 марта 2009 г.

Выставление онлайн: 20 октября 2009 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Предложен новый метод формирования тонких пленок нанокристаллического кремния (nc-Si), который заключается в размерно-селективном осаждении с помощью центрифугирования наночастиц из коллоидного раствора (золя), содержащего порошки nc-Si. Структурные и оптические параметры исходных порошков nc-Si и осажденных пленок изучены с помощью просвечивающей электронной микроскопии и анализа спектров поглощения и спектров комбинационного рассеяния. Величина коэффициента поглощения пленок nc-Si увеличивается с уменьшением размеров наночастиц, из которых состоят эти пленки. Измеренная ширина запрещенной зоны E_g в пленках увеличивается от 1.8 до 2.2 эВ при травлении порошков nc-Si, используемых для осаждения соответствующих пленок. Из анализа спектров комбинационного рассеяния сделано предположение, что наличие аморфной составляющей в исследованных порошках и пленках nc-Si определяется атомами кислорода, координированными на поверхности наночастиц. PACS: 68.55.-a, 68.60.-p, 81.07.Wx, 81.15.-z

A. Shan, E. Vallat-Shauvain, P. Torres, J. Meier, U. Kroll, C. Hof, C. Droz, M. Goerlitzer, N. Wyrsch, M. Vanechek. Mater. Sci. Eng. B, 69-70, 219 (2000)
J.-C. Cheng, S. Allen, S. Wagner. J. Non-Cryst. Sol., 338-340, 720 (2004)
C.H. Lee, A. Sazonov, A. Nathan. Appl. Phys. Lett., 86, 222 106 (1-3) (2005)
S. Tiwari, F. Rana, C. Chan, L. Shi, H. Hamafi. Appl. Phys. Lett., 69, 1232 (1996)
R. Tsu. Appl. Phys. A, 71, 391 (2000)
G.P. Kuz'min, M.E. Karasev, E.M. Khokhlov, N.N. Kononov, S.B. Korovin, V.G. Plotnichenko, S.N. Polyakov, V.I. Pustovoy, O.V. Tikhonevich. Laser Phys., 10, 939 (2000)
Н.Н. Кононов, Г.П. Кузьмин, А.Н. Орлов, А.А. Сурков, О.В. Тихоневич. ФТП, 39, 868 (2005)
H. Richter, L. Ley. J. Appl. Phys., 52, 7281 (1981)
W.B. Jackson, N.M. Johnson, D.K. Bigelsen. Appl. Phys. Lett., 43, 195 (1983)
A. Poruba, A. Feifar, Z. Reme\^s, J. \^Springer, M. Vanecek, J. Kocka, J. Meier, P. Torres, A. Shah. J. Appl. Phys., 88, 148 (2000)
J. Tauc, R. Grigorovici, A. Vancu. Phys. Status Solidi, 15, 627 (1966)
S.K. O'Leary, P.K. Lim. Sol. Commun., 104, 17 (1997)
M. Ben-Chorin, B. Averboukh, D. Kovalev, G. Polisski, F. Koch. Phys. Rev. Lett., 77, 763 (1996)
D. Kovalev, G. Polisski, M. Ben-Chorin, J. Diener, F. Koch. J. Appl. Phys., 80, 5978 (1996)
R.A. Forman, W.R. Thurber, D.E. Aspens. Sol. St. Commun., 14, 1007 (1974)
R. Tsu, H. Shen, M. Dutta. Appl. Phys. Lett., 60, 112 (1992)
J.C. Tsang, M.A. Tischler, R.T. Collins. Appl. Phys. Lett., 60 (18), 2279 (1992)
M. Ehbrecht, H. Ferkel, F. Huisken, L. Holz, Yu.N. Polivanov, V.V. Smirnov, O.M. Stelmakh, R. Schmidt. J. Appl. Phys., 78, 5302 (1995)
H. Richter, Z. Wang, L. Ley. Sol. St. Commun., 39, 625 (1981)
I.H. Campbell, P.M. Faushet. Sol. St. Commun., 58, 739 (1986)
A.T. Voutsas, M.K. Hatalis, J. Boyce, A. Chiang. J. Appl. Phys., 78, 6999 (1995)
H. Kakinuma, M. Mohri, M. Sakamoto, T. Tsuruoka. J. Appl. Phys., 70, 7374 (1991)
A. Puzder, A.J. Williamson, J.C. Grossman, G. Galli. Phys. Rev. Lett., 88, 097 401 (4) (2002)
M. Luppi, S. Ossicini. Phys. Rev. B, 71, 035 340 (15) (2005)
Ma Zhixun, Liao Xianbo, Kong Guanglin, Chu Junhao. Sci. China A, 43, 414 (2000)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель