"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
О природе глубоких акцепторных уровней в запрещенной зоне неотожженных образцов монокристаллов PbTe
Ахмедова Г.А.1, Багиева Г.З.1, Агаев З.Ф.1, Абдинов Д.Ш.1
1Институт физики им. Г.М. Абдуллаева НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан
Поступила в редакцию: 12 января 2009 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2009 г.

Установлено, что в образцах монокристаллов PbTe, отожженных при 473 и 673 K, отсутствуют акцепторные уровни с энергией активации ~0.1 эВ, наблюдаемые в неотоженных образцах. Сделано заключение о том, что указанные уровни в неотоженных образах были связаны с дефектами, вызванными макронапряжениями, и неоднородным распределением атомов сверхстехиометрического теллура вдоль слитка, возникающими в процессе выращивания кристаллов PbTe и залечивающимися при отжиге. PACS: 72.20.My, 72.20.Pa, 72.80.Ey
  1. Ю.И. Равич, Б.А. Ефимова, И.А. Смирнов. Методы исследования полупроводников в применении к халькогенидам свинца PbTe, PbSe, PbS (М., Наука, 1968)
  2. С.Н. Лыков, Ю.И. Равич, И.А. Черник. ФТП, 11 (9), 1731 (1977)
  3. Ю.И. Равич, С.А. Немов. ФТП, 36 (1), 3 (2002)
  4. В.И. Кайданов, Ю.И. Равич. УФН, 145 (1), 51 (1985)
  5. Н.Б. Мустафаев, Г.З. Багиева, Г.А. Ахмедова, З.Ф. Агаев, Д.Ш. Абдинов. ФТП, 43 (2), 149 (2009)
  6. С.С. Горелик, М.Я. Дашевский. Материаловедение полупроводников и диэлектриков (М., Металлургия, 1988)
  7. П.М. Старик, П.И. Воронюк. Изв. АН СССР. Сер. физ., 28 (8), 321 (1964)
  8. Е.Д. Девяткова, И.А. Смирнов. ФТТ, 3 (8), 2298 (1961)
  9. В.Г. Голубев, Н.И. Гречко, С.Н. Лыков, Б.П. Сабо, И.А. Черник. ФТП, 11 (9), 1738 (1977)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.