"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние одноосной деформации на релаксацию возбужденных состояний мелких доноров в кремнии при взаимодействии с междолинными фононами
Цыпленков В.В.1, Ковалевский К.А.1, Шастин В.Н.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 12 марта 2009 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2009 г.

Проведены расчеты скорости междолинного рассеяния возбужденных состояний 2p±, 2p0 и 1s доноров V группы (фосфор, сурьма, мышьяк) в кремнии при электрон-фононном взаимодействии. При этом учитывалась анизотропия эффективной массы и вырождение состояний электронов, связанное с шестью долинами зоны проводимости. Определена степень влияния сдвига энергии основного состояния из-за потенциала центральной ячейки на процесс релаксации различных доноров. Особое внимание уделено зависимости темпа релаксации от деформации сжатия кремния в кристаллографическом направлении [100]. Установлено, что такая деформация может значительно увеличить времена жизни рабочих состояний в лазере на внутрицентровых переходах доноров в кремнии при их оптическом возбуждении, повышая квантовую эффективность и коэффициент усиления такой активной среды. PACS: 42.55.Px, 71.55.Cn, 72.10.Di, 72.20.Dp, 77.65.Ly
  1. S.G. Pavlov, R.Kh. Zhukavin, E.E. Orlova, V.N. Shastin, A.V. Kirsanov, H.-W. Hubers, K. Auen, H. Riemann. Phys. Rev. Lett., 84, 5220 (2000)
  2. S.G. Pavlov, H.-W. Hubers, H. Riemann, R.Kh. Zhukavin, E.E. Orlova, V.N. Shastin. J. Appl. Phys., 92, 5632 (2002)
  3. S.G. Pavlov, H.-W. Hubers, M.H. Rummeli, R.Kh. Zhukavin, E.E. Orlova, V.N. Shastin, H. Riemann. Appl. Phys. Lett., 80, 4717 (2002)
  4. H.-W. Hubers, S.G. Pavlov, H. Riemann, N.V. Abrosimov, R.Kh. Zhukavin, V.N. Shastin. Appl. Phys. Lett., 84, 3600 (2004)
  5. R.Kh. Zhukavin, K.A. Kovalevsky, V.V. Tsyplenkov, V.N. Shastin, S.G. Pavlov, U. Bottger, H.-W. Hubers, N.V. Abrosimov, H. Riemann, N. Notzel, Appl. Phys. Lett., 90, 051 101 (2007)
  6. S.G. Pavlov, U. Bottger, H.-W. Hubers, R.Kh. Zhukavin, K.A. Kovalevsky, V.V. Tsyplenkov, V.N. Shastin, N.V. Abrosimov, H. Riemann. Appl. Phys. Lett., 90, 141 109 (2007)
  7. В.В. Цыпленков, Е.В. Демидов, К.А. Ковалевский, В.Н. Шастин. ФТП, 42 (9), 1032 (2008)
  8. R. Barrie, R. Nishikawa. Canadian J. Phys., 41, 1823 (1963)
  9. W. Kohn, J.M. Luttinger. Phys. Rev., 90 (4), 915 (1955)
  10. R.J. Bell, W.T. Bousman, G.M. Goldman, D.G. Rathbun. Surf. Sci., 7, 293 (1967)
  11. Г.Л. Бир, Г.Е. Пикус. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках (М., Наука, 1972)
  12. Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойcтва легированных полупроводников (М., Наука, 1979)
  13. C. Jacoboni, L. Reggiani. Rev. Mod. Phys., 55 (3), 645 (1983)
  14. D.K. Wilson, G. Feher. Phys. Rev., 124 (4), 1068 (1961)
  15. L.E. Oliveira, L.M. Falicov. Phys. Rev. B, 33, 6990 (1986)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.