"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние буферного пористого слоя и легирования диспрозием на внутренние напряжения в гетероструктурах GaInP : Dy/por-GaAs/GaAs(100)
Середин П.В.1, Гордиенко Н.Н.1, Глотов А.В.1, Журбина И.А.1, Домашевская Э.П.1, Арсентьев И.Н.2, Шишков М.В.2
1Воронежский государственный технический университет, Воронеж, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 15 января 2009 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2009 г.

В структурах с буферным пористым слоем остаточные внутренние напряжения, вызванные рассогласованием параметров кристаллических решеток эпитаксиального твердого раствора GaInP и подложки GaAs, перераспределяются в пористый слой, который играет роль буфера и способствует исчезновению внутренних напряжений. Аналогичные воздействия на внутренние напряжения в структуре пленка--подложка оказывает легирование эпитаксиального слоя диспрозием. PACS: 81.05.Rm, 81.40.Tv, 68.55.ag
  1. H. Foll, J. Carstensen, S. Langa, M. Christophersen, I.M. Tiginyanu. Phys. Status Solidi A, 197 (1), 61 (2003)
  2. Э.П. Домашевская, П.В. Середин, Э.А. Долгополова и др. ФТП, 39 (3), 354 (2005)
  3. E.P. Domashevskaya, P.V. Seredin, A.N. Lukin et al. Surf. Interface Analysis, 8 (I.4), 828 (2006)
  4. W.G. Spitzer, D. Kleinman, D. Walsh. Phys. Rev., 113 (1), 108 (1959)
  5. H.W. Verleur. JOSA, 58, 1356 (1968)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.