Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Особенности эпитаксиального роста узкозонных квантовых точек InSb на подложке InAs
Моисеев К.Д.1, Пархоменко Я.А.1, Гущина Е.В.1, Анкудинов А.В.1, Михайлова М.П.1, Берт Н.А.1, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 29 января 2009 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2009 г.
В интервале температур T=420-450oC методом жидкофазной эпитаксии на подложках InAs были получены массивы когерентных квантовых точек InSb с плотностью (0.9-2)· 1010 см-2, размеры которых составляли 3 нм в высоту и 13 нм в диаметре. Обнаружен бимодальный характер распределения квантовых точек по размерам, который был объяснен комбинированным механизмом роста этих нанообъектов. Впервые изучены структурные характеристики отдельной квантовой точки InSb, сформированной на поверхности InAs, с помощью методов атомно-силовой микроскопии и просвечивающей электронной микроскопии. Для квантовых точек в системе InSb/InAs впервые наблюдались картины муаровых узоров, при этом период муара 3.5 нм соответствовал квантовым точкам InSb без примеси мышьяка. PACS: 68.37.Lp, 68.37.Ps, 81.07.Ta, 81.15.Lm
- Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, В.А. Щукин, П.С. Копьев, Ж.А. Алфёров, Д. Бимберг. ФТП, 32, 385 (1998)
- V. Grundmann. Physica E, 5, 167 (2000)
- А.Н. Именков, Н.М. Колчанова, П. Кубат, К.Д. Моисеев, С. Цивиш, Ю.П. Яковлев. ФТП, 35, 375 (2001)
- M. Mikhailova, N. Stoyanov, I. Andreev, B. Zhurtanov, S. Kizhaev, E. Kunitsyna, K. Salikhov, Yu. Yakovlev. Proc. SPIE, 6585, 658 526 (2007)
- V. Tasco, N. Deguffroy, A.N. Baranov, E. Tournie, B. Satpari, A. Trampert, M. Dunaevski, A. Titkov. J. Cryst. Growth, 301, 713 (2007)
- P. Mock, G.R. Booker, N.J. Mason, R.J. Nicholas, E. Aphandery, T. Topuria, N.D. Browning. Mater. Sci. Eng. B, 80, 112 (2001)
- S. Shusterman, Y. Paltiel, A. Sher, V. Ezersky, Y. Rosenwaks. J. Cryst. Growth, 291, 363 (2006)
- F. Hatami, S.M. Kim, H.B. Yuen, J.S. Harris. Appl. Phys. Lett., 89, 133 115 (2006)
- A. Krier, X.L. Huang, A. Hammiche. J. Phys. D: Appl. Phys., 34, 874 (2001)
- К.Д. Моисеев, Я.А. Пархоменко, А.В. Анкудинов, Е.В. Гущина, М.П. Михайлова, А.Н. Титков, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 33 (7), 50 (2007)
- D. Passeri, A. Bettucci, M. Germano, M. Rossi, A. Alippi, S. Orlanducci, M.L. Terranova, M. Ciavarella. Rev. Sci. Instrum., 76, 093 904 (2005)
- M.S. Dunaevsky, A.V. Ankudinov, Z.F. Krasilnik, D.N. Lobanov, A.V. Novikov, R. Laiho, A.N. Baranov, D.A. Yarekha, P. Girard, A.N. Titkov. Proc. 11th Int. Symp. Nanostructures: Physics and Technology (St.Petersburg, Russia, 2003) p. 103
- D.J. Eaglesham, M. Cerullo. Phys. Rev. Lett., 64, 1943 (1990)
- Y. Androussi, T. Benabbas, A. Lefebvre. Ultramicroscopy, 93, 161 (2002)
- J.G. Lozano, D. Gonzalez, A.M. Sanchez, D. Araujo, S. Ruffenach, O. Briot, R. Garcia. Phys. Status Solidi C, 3, 1687 (2006)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
