Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2009, выпуск 8 » Статья стр. 1142
<<<
Особенности эпитаксиального роста узкозонных квантовых точек InSb на подложке InAs
Моисеев К.Д.1, Пархоменко Я.А.1, Гущина Е.В.1, Анкудинов А.В.1, Михайлова М.П.1, Берт Н.А.1, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 29 января 2009 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2009 г.
PDF версия
В интервале температур T=420-450oC методом жидкофазной эпитаксии на подложках InAs были получены массивы когерентных квантовых точек InSb с плотностью (0.9-2)· 1010 см-2, размеры которых составляли 3 нм в высоту и 13 нм в диаметре. Обнаружен бимодальный характер распределения квантовых точек по размерам, который был объяснен комбинированным механизмом роста этих нанообъектов. Впервые изучены структурные характеристики отдельной квантовой точки InSb, сформированной на поверхности InAs, с помощью методов атомно-силовой микроскопии и просвечивающей электронной микроскопии. Для квантовых точек в системе InSb/InAs впервые наблюдались картины муаровых узоров, при этом период муара 3.5 нм соответствовал квантовым точкам InSb без примеси мышьяка. PACS: 68.37.Lp, 68.37.Ps, 81.07.Ta, 81.15.Lm
  1. Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, В.А. Щукин, П.С. Копьев, Ж.А. Алфёров, Д. Бимберг. ФТП, 32, 385 (1998)
  2. V. Grundmann. Physica E, 5, 167 (2000)
  3. А.Н. Именков, Н.М. Колчанова, П. Кубат, К.Д. Моисеев, С. Цивиш, Ю.П. Яковлев. ФТП, 35, 375 (2001)
  4. M. Mikhailova, N. Stoyanov, I. Andreev, B. Zhurtanov, S. Kizhaev, E. Kunitsyna, K. Salikhov, Yu. Yakovlev. Proc. SPIE, 6585, 658 526 (2007)
  5. V. Tasco, N. Deguffroy, A.N. Baranov, E. Tournie, B. Satpari, A. Trampert, M. Dunaevski, A. Titkov. J. Cryst. Growth, 301, 713 (2007)
  6. P. Mock, G.R. Booker, N.J. Mason, R.J. Nicholas, E. Aphandery, T. Topuria, N.D. Browning. Mater. Sci. Eng. B, 80, 112 (2001)
  7. S. Shusterman, Y. Paltiel, A. Sher, V. Ezersky, Y. Rosenwaks. J. Cryst. Growth, 291, 363 (2006)
  8. F. Hatami, S.M. Kim, H.B. Yuen, J.S. Harris. Appl. Phys. Lett., 89, 133 115 (2006)
  9. A. Krier, X.L. Huang, A. Hammiche. J. Phys. D: Appl. Phys., 34, 874 (2001)
  10. К.Д. Моисеев, Я.А. Пархоменко, А.В. Анкудинов, Е.В. Гущина, М.П. Михайлова, А.Н. Титков, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 33 (7), 50 (2007)
  11. D. Passeri, A. Bettucci, M. Germano, M. Rossi, A. Alippi, S. Orlanducci, M.L. Terranova, M. Ciavarella. Rev. Sci. Instrum., 76, 093 904 (2005)
  12. M.S. Dunaevsky, A.V. Ankudinov, Z.F. Krasilnik, D.N. Lobanov, A.V. Novikov, R. Laiho, A.N. Baranov, D.A. Yarekha, P. Girard, A.N. Titkov. Proc. 11th Int. Symp. Nanostructures: Physics and Technology (St.Petersburg, Russia, 2003) p. 103
  13. D.J. Eaglesham, M. Cerullo. Phys. Rev. Lett., 64, 1943 (1990)
  14. Y. Androussi, T. Benabbas, A. Lefebvre. Ultramicroscopy, 93, 161 (2002)
  15. J.G. Lozano, D. Gonzalez, A.M. Sanchez, D. Araujo, S. Ruffenach, O. Briot, R. Garcia. Phys. Status Solidi C, 3, 1687 (2006)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme