Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Возможность получения пленок (GaSb)_1-x(Si₂)_x на кремниевых подложках методом жидкофазной эпитаксии

Усмонов Ш.Н.¹, Саидов А.С.¹, Лейдерман А.Ю.¹, Сапаров Д.¹, Холиков К.Т.¹

¹Физико-технический институт им. С.В. Стародубцева Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан Starodubtsev Physical–Technical Institute, Academy of Sciences of Uzbekistan, Tashkent, Uzbekistan

Starodubtsev Physical–Technical Institute, Academy of Sciences of Uzbekistan, Tashkent, Uzbekistan

Поступила в редакцию: 12 января 2009 г.

Выставление онлайн: 20 июля 2009 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Показана возможность выращивания непрерывного твердого раствора (GaSb)_1-x(Si₂)_x (x=0-1) на кремниевых подложках методом жидкофазной эпитаксии из оловянного раствора-расплава. Исследованы рентгенограммы, спектральные и вольт-амперные характеристики полученных структур p-Si-n-(GaSb)_1-x(Si₂)_x в интервале температур 20-200^oC. На вольт-амперных характеристиках обнаружен протяженный участок типа V propto exp(JaW), соответствующий эффекту инжекционного обеднения. PACS: 73.40.Kp, 78.20.-e, 78.66.Fd, 81.40.Tv

В.П. Хвостиков, О.А. Хвостикова, П.Ю. Газарян, М.З. Шварц, В.Д. Румянцев, В.М. Андреев. ФТП, 38(8), 988 (2004)
Т.Н. Данилова, Б.Е. Журтанов, А.Н. Именков, Ю.П. Яковлев. ФТП, 39(11), 1231 (2005)
А.П. Астахова, Б.Е. Журтанов, А.Н. Именков, М.П. Михайлова, М.А. Сиповская, Н.Д. Стоянов, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 33(19), 8 (2007)
Т.И. Воронина, Б.Е. Джуртанов, Т.С. Лагунова, М.А. Силовская, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 32(3), 278 (1998)
C.M. Ruiz, J.L. Plaza, V. Berm'udez, E. Di'eguez. J. Phys.: Condens. Matter, 14, 12 755 (2002)
Р.В. Лёвин, А.С. Власов, Н.В. Зотова, Б.А. Матвеев, Б.В. Пушный, В.М. Андреев. ФТП, 40(12), 1427 (2006)
C.A. Wang, D.A. Shiau, A. Lin. J. Cryst. Growth, 261, 385 (2004)
A.S. Saidov, A.Sh. Razzakov, V.A. Risaeva, E.A. Koschanov. Mater. Chem. Phys., 68, 1 (2001)
В.М. Андреев, Л.М. Долгинов, Д.Н. Третьяков. Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов (М., Сов. радио, 1975)
М. Хансен, К. Андерко. Структуры двойных сплавов (М., Металлургиздат, 1962) т. II. [Пер. с англ.: М. Hansen, K. Anderko. Constitution of binary alloys (Toronto--London--N.Y., 1985) v. II]
А.С. Саидов, М.С. Саидов, Э.А. Кошчанов. Жидкостная эпитаксия компенсированных слоев арсенида галлия и твердых растворов на его основе (Ташкент, Фан, 1986)
Ж.И. Алфёров. Наука и общество (СПб., Наука, 2005)
А.С. Саидов. Матер. 3-й Межд. конф., посвященной 15-летию независимости Узбекистана "Фундаментальные и прикладные вопросы физики" (Ташкент, 2006) с. 279
А.С. Саидов, Ш.Н. Усмонов, К.Т. Холиков, Д. Сапаров. Письма ЖТФ, 33(20), 5 (2007)
М.С. Саидов. Гелиотехника, 5-- 6, 57 (1997)
А.С. Саидов, М.С. Саидов, Ш.Н. Усмонов, К.Т. Холиков, Д. Сапаров. Гелиотехника, 3, 85 (2007)
В.И. Стафеев. ЖТФ, 28(8), 1631 (1958)
Э.И. Адирович, П.М. Карагеоргий-Алкалаев, А.Ю. Лейдерман. Токи двойной инжекции в полупроводниках (М., Сов. радио, 1978)
О. Моделунг. Физика полупроводниковых соединений элементов III и V групп (М., Мир, 1967). [Пер. с англ.: О. Modelung. Physics of III--V Compounds (N.Y.--London--Sydney, 1964)]
А.С. Саидов, В.М. Тучкевич, Ю.М. Шмарцев. ФТП, 2(6), 891 (1968)
A.Yu. Leiderman, P.M. Karageorgy--Alkalaev. Sol. St. Commun., 27, 339 (1978)
Х.Х. Исмоилов, А.М. Абдугафуров, Ш.А. Мирсагатов, А.Ю. Лейдерман. ФТТ, 50(11), 1953 (2008)
А.С. Саидов, А.Ю. Лейдерман, Ш.Н. Усмонов, К.Т. Холиков. ФТП, 43(4), 436 (2009)
П.М. Карагеоргий-Алкалаев, А.Ю. Лейдерман. Фоточувствительность полупроводниковых структур с глубокими примесями (Ташкент, Фан, 1981)
С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. I. [Пер. с англ.: S.M. Sze. Physics of Semiconductor Devices (N.Y.--Chichester--Brisbane--Toronto--Singapore, 1981)]
К.В. Шалимов. Физика полупроводников (М., Энергоиздат, 1985)
H. Welker. Physics, 20, 893 (1954)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель