Возможность получения пленок (GaSb)1-x(Si2)x на кремниевых подложках методом жидкофазной эпитаксии
Усмонов Ш.Н.1, Саидов А.С.1, Лейдерман А.Ю.1, Сапаров Д.1, Холиков К.Т.1
1Физико-технический институт им. С.В. Стародубцева Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
Поступила в редакцию: 12 января 2009 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2009 г.
Показана возможность выращивания непрерывного твердого раствора (GaSb)1-x(Si2)x (x=0-1) на кремниевых подложках методом жидкофазной эпитаксии из оловянного раствора-расплава. Исследованы рентгенограммы, спектральные и вольт-амперные характеристики полученных структур p-Si-n-(GaSb)1-x(Si2)x в интервале температур 20-200oC. На вольт-амперных характеристиках обнаружен протяженный участок типа V propto exp(JaW), соответствующий эффекту инжекционного обеднения. PACS: 73.40.Kp, 78.20.-e, 78.66.Fd, 81.40.Tv
- В.П. Хвостиков, О.А. Хвостикова, П.Ю. Газарян, М.З. Шварц, В.Д. Румянцев, В.М. Андреев. ФТП, 38(8), 988 (2004)
- Т.Н. Данилова, Б.Е. Журтанов, А.Н. Именков, Ю.П. Яковлев. ФТП, 39(11), 1231 (2005)
- А.П. Астахова, Б.Е. Журтанов, А.Н. Именков, М.П. Михайлова, М.А. Сиповская, Н.Д. Стоянов, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 33(19), 8 (2007)
- Т.И. Воронина, Б.Е. Джуртанов, Т.С. Лагунова, М.А. Силовская, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 32(3), 278 (1998)
- C.M. Ruiz, J.L. Plaza, V. Berm'udez, E. Di'eguez. J. Phys.: Condens. Matter, 14, 12 755 (2002)
- Р.В. Лёвин, А.С. Власов, Н.В. Зотова, Б.А. Матвеев, Б.В. Пушный, В.М. Андреев. ФТП, 40(12), 1427 (2006)
- C.A. Wang, D.A. Shiau, A. Lin. J. Cryst. Growth, 261, 385 (2004)
- A.S. Saidov, A.Sh. Razzakov, V.A. Risaeva, E.A. Koschanov. Mater. Chem. Phys., 68, 1 (2001)
- В.М. Андреев, Л.М. Долгинов, Д.Н. Третьяков. Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов (М., Сов. радио, 1975)
- М. Хансен, К. Андерко. Структуры двойных сплавов (М., Металлургиздат, 1962) т. II. [Пер. с англ.: М. Hansen, K. Anderko. Constitution of binary alloys (Toronto--London--N.Y., 1985) v. II]
- А.С. Саидов, М.С. Саидов, Э.А. Кошчанов. Жидкостная эпитаксия компенсированных слоев арсенида галлия и твердых растворов на его основе (Ташкент, Фан, 1986)
- Ж.И. Алфёров. Наука и общество (СПб., Наука, 2005)
- А.С. Саидов. Матер. 3-й Межд. конф., посвященной 15-летию независимости Узбекистана "Фундаментальные и прикладные вопросы физики" (Ташкент, 2006) с. 279
- А.С. Саидов, Ш.Н. Усмонов, К.Т. Холиков, Д. Сапаров. Письма ЖТФ, 33(20), 5 (2007)
- М.С. Саидов. Гелиотехника, 5-- 6, 57 (1997)
- А.С. Саидов, М.С. Саидов, Ш.Н. Усмонов, К.Т. Холиков, Д. Сапаров. Гелиотехника, 3, 85 (2007)
- В.И. Стафеев. ЖТФ, 28(8), 1631 (1958)
- Э.И. Адирович, П.М. Карагеоргий-Алкалаев, А.Ю. Лейдерман. Токи двойной инжекции в полупроводниках (М., Сов. радио, 1978)
- О. Моделунг. Физика полупроводниковых соединений элементов III и V групп (М., Мир, 1967). [Пер. с англ.: О. Modelung. Physics of III--V Compounds (N.Y.--London--Sydney, 1964)]
- А.С. Саидов, В.М. Тучкевич, Ю.М. Шмарцев. ФТП, 2(6), 891 (1968)
- A.Yu. Leiderman, P.M. Karageorgy--Alkalaev. Sol. St. Commun., 27, 339 (1978)
- Х.Х. Исмоилов, А.М. Абдугафуров, Ш.А. Мирсагатов, А.Ю. Лейдерман. ФТТ, 50(11), 1953 (2008)
- А.С. Саидов, А.Ю. Лейдерман, Ш.Н. Усмонов, К.Т. Холиков. ФТП, 43(4), 436 (2009)
- П.М. Карагеоргий-Алкалаев, А.Ю. Лейдерман. Фоточувствительность полупроводниковых структур с глубокими примесями (Ташкент, Фан, 1981)
- С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. I. [Пер. с англ.: S.M. Sze. Physics of Semiconductor Devices (N.Y.--Chichester--Brisbane--Toronto--Singapore, 1981)]
- К.В. Шалимов. Физика полупроводников (М., Энергоиздат, 1985)
- H. Welker. Physics, 20, 893 (1954)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.