"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние параметров узкозонных включений на тип и величину вторично-ионного фотоэффекта в гетерофазных фотопроводниках
Стецюра С.В.1, Маляр И.В.1, Сердобинцев А.А.1, Климова С.А.1
1Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
Поступила в редакцию: 11 декабря 2008 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2009 г.

Применение технологии Ленгмюра-Блоджетт при получении гетерофазных поликристаллических пленочных образцов CdS-PbS позволило определить параметры образованных в результате распада пересыщенного твердого раствора CdS и PbS узкозонных преципитатов PbS с использованием методов анализа масс-спектров и математического моделирования. Обнаружена корреляция между размерами преципитатов и величиной вторично-ионного фотоэффекта. На основе экспериментальных данных и результатов моделирования предлагается объяснение впервые обнаруженной смены типа вторично-ионного фотоэффекта с увеличением глубины распыления. Сделан вывод о нелинейной зависимости вторично-ионного фотоэффекта от размеров преципитатов PbS и о существовании минимального среднего размера преципитата, при котором наблюдается влияние узкозонных включений PbS на тип вторично-ионного фотоэффекта. PACS: 68.49.Sf, 81.07.Bc, 81.15.Cd, 81.15.Lm, 81.30.Mh, 82.80.Ms
  1. Г.Е. Давидюк, В.В. Божко, Л.В. Булатецкая. ФТП, 42 (10), 1263 (2008)
  2. Н.Б. Брандт. Соросовский образовательный журн., 4, 65 (1997)
  3. А.Г. Роках. Письма ЖТФ, 10 (13), 820 (1984)
  4. В.Э. Бухаров, А.Г. Роках, С.В. Стецюра. ЖТФ, 73 (2), 93 (2003)
  5. А.А. Сердобинцев, А.Г. Роках, С.В. Стецюра, А.Г. Жуков. ЖТФ, 77 (11), 96 (2007)
  6. A.G. Rokakh, A.G. Zhukov, S.V. Stetsyura, A.A. Serdobintsev. Nucl. Instr. Meth, 226 (4), 595 (2004)
  7. А.Г. Роках, А.В. Кумаков, Н.В. Елагина. Патент 845685 РФ, МКИ Н 01 Ь 21/30/. Заявлено 07.02.80. Опубл. 01.07.93. Бюл. N 25
  8. С.В. Стецюра, Е.Г. Глуховской, А.А. Сердобинцев, И.В. Маляр. Патент RU 2328059 C1, МПК H01L 31/18/. Заявлено 14.12.06. Опубл. 27.06.08. Бюл. N 18
  9. Ю.М. Львов, Л.А. Фейгин. Кристаллография, 32 (3), 800 (1987)
  10. А.А. Барыбин, В.Г. Сидоров. Физико-технологические основы электроники (СПб., Лань, 2001)
  11. С.В. Булярский, В.В. Светухин. Физические основы управления дефектообразованием в полупроводниках (Ульяновск, УльянГУ, 2002)
  12. B. Liu, C.H. Chew, L.M. Gan, G.Q. Xu. J. Mater. Res., 16 (6), 1644 (2001)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.