"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Особенности молекулярно-пучковой эпитаксии слоев GaN (0001) и GaN (0001) при использовании различных способов активации азота
Мизеров А.М.1, Жмерик В.Н.1, Кайбышев В.К.1, Комиссарова Т.А.1, Масалов С.А.1, Иванов С.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 10 декабря 2008 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2009 г.

Приведены результаты сравнительных исследований кинетики роста слоев GaN с различной полярностью при аммиачной молекулярно-пучковой эпитаксии и молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота с использованием сапфировых подложек и GaN (0001)/c-Al2O3-темплейтов, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений. Показана возможность получения слоев GaN (0001) с атомарно-гладкой поверхностью при молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота. Для этого предложено проводить рост в металлобогащенных условиях, вблизи режима образования капель Ga при температуре, близкой к температуре разложения GaN (TS~760oC). Сделан вывод о положительном влиянии увеличения температуры роста на структурные, оптические и электрические свойства слоев GaN (0001). Продемонстрировано высокое качество пленок GaN (0001), выращенных методом МПЭ ПА при низкой температуре ~700oC на GaN/c-Al2O3-темплейтах. PACS: 81.15.Hi, 81.05.Ea, 68.43.Nr, 68.37.-d
  1. Y.F. Wu, A. Saxler, M. Moore. IEEE Electron Dev. Lett., 25, 117 (2004)
  2. D. Huang, P. Visconti, K.M. Jones, M.A. Reshchikov, F. Yun, A.A. Baski, T. King, H. Morkov c. Appl. Phys. Lett., 78 (26), 4145 (2001)
  3. B. Heying, R. Averbeck, L.F. Chen, E. Haus, H. Riechert, J.S. Speck. J. Appl. Phys., 88 (4), 1855 (2000)
  4. В.Н. Жмерик, А.М. Мизеров, Т.В. Шубина, С.Б. Листошин, С.В. Иванов. Письма ЖТФ, 33 (8), 36 (2007)
  5. K. Xu, A. Yoshikawa. Appl. Phys. Lett., 82 (2), 251 (2003)
  6. S. Keller, C.S. Suh, Z. Chen, R. Chu, S. Rajan, N.A. Fichtenbaum, M. Furukawa, S.P. DenBaars, J.S. Speck, U.K. Mishra. J. Appl. Phys., 103, 033 708 (2008)
  7. M.N. Wong, S. Rajan, R.M. Chu, T. Palacios, C.S. Suh, L.S. McCarthy, S. Keller, J.S. Speck, U.K. Mushra. Phys. Status Solidi A, 204 (6), 2049 (2007)
  8. X.Q. Shen, T. Ide, S.H. Cho, M. Shimizu, S. Hara, H. Okumura. Appl. Phys. Lett., 77 (24), 4013 (2000)
  9. E. Monroy, E. Sarigiannidou, F. Fossard, N. Gogneau, E. Bellet-Amalric, J.-L. Rouvi\`ere, S. Monnoye, H. Mank, B. Daudin. Appl. Phys. Lett., 84 (18), 3684 (2004)
  10. C. Adelmann, J. Brault, G. Mula, B. Daudin, L. Lymperakis, J. Neugebauer. Phys. Rev. B, 67, 165 419 (2003)
  11. N. Grandjean, M. Leroux, M. Laugt, J. Massies. Appl. Phys. Lett., 71, 240 (1997)
  12. A.R. Smith, R.M. Feenstra, D.W. Greve, M.-S. Shin, M. Skowronsky, J. Neugebauer, J.E. Northrup. Appl. Phys. Lett., 72, 2114 (1998)
  13. A. Yoshikawa, K. Xu. Thin Sol. Films, 412, 38 (2002)
  14. D. Crawford, R. Held, A.M. Johnston, A.M. Dabiran, P.I. Cohen. MRS Internet J. Nitride Semicond. Res., 1 (12) (1996)
  15. N. Granjean, J. Massies, F. Semond, S.Yu. Karpov, R.A. Talalaev. Appl. Phys. Lett., 74 (13), 1854 (1999)
  16. S. Vezian, F. Natali, F. Semond, J. Massies. Phys. Rev. B, 69, 125 329 (2004)
  17. S.Yu. Karpov, R.A. Talalaev, Yu.N. Makarov, N. Grandjean, J. Massies, B. Damilano. Surf. Sci., 450, 191 (2000)
  18. B. Monemar, P.P. Paskov, J.P. Bergman, A.A. Toropov, T.V. Shubina, T. Malinauskas, A. Usui. Phys. Status Solidi B, 245 (9), 1723 (2008)
  19. T. Zywietz, J. Neugebauer, M. Scheffler. Appl. Phys. Lett., 74, 1695 (1999)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.