Данильченко В.Г.1, Корольков В.И.1, Солдатенков Ф.Ю.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Выставление онлайн: 20 июля 2009 г.
Приведены результаты исследования переключающих свойств арсенидгаллиевых диодов на основе гетероструктур. Показано, что использование в базовой области градиента запрещенной зоны или широкозонной "стенки" (резкий гетеропереход) позволяет управлять характером распределения инжектированных носителей и осуществлять их накопление вблизи p-n-перехода, что приводит к более быстрому этапу восстановления обратного напряжения (60-70 пс). Для повышения рабочих напряжений рассмотрены структуры, в которых наряду с градиентом ширины запрещенной зоны использовался градиент примеси. PACS: 73.40.Kp, 73.50.Gr, 81.15.Lm, 84.30.Jc, 85.30.De, 85.30.Kk
- С.А. Ерёмин, Д.К. Мокеев, Ю.Р. Носов. Полупроводниковые диоды с накоплением заряда и их применение (М., Сов. радио, 1966) с. 151
- Ж.И. Алфёров, В.И. Корольков, В.Г. Никитин, М.Н. Степанова, Д.Н. Третьяков. Письма ЖТФ, 2 (2), 201 (1976)
- Ф.Ю. Солдатенков, В.Г. Данильченко, В.И. Корольков. ФТП, 41 (2), 217 (2007)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
