Приведены результаты исследования переключающих свойств арсенидгаллиевых диодов на основе гетероструктур. Показано, что использование в базовой области градиента запрещенной зоны или широкозонной "стенки" (резкий гетеропереход) позволяет управлять характером распределения инжектированных носителей и осуществлять их накопление вблизи p-n-перехода, что приводит к более быстрому этапу восстановления обратного напряжения (60-70 пс). Для повышения рабочих напряжений рассмотрены структуры, в которых наряду с градиентом ширины запрещенной зоны использовался градиент примеси. PACS: 73.40.Kp, 73.50.Gr, 81.15.Lm, 84.30.Jc, 85.30.De, 85.30.Kk

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.