"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Электропроводность аморфных пленок халькогенидных соединений в сильных электрических полях
Воронков Э.Н.1, Козюхин С.А.2
1Московский энергетический институт (Технический университет), Москва, Россия
2Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 27 октября 2008 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2009 г.

Исследовано влияние напряженности электрического поля и температуры на электропроводность аморфных тонких пленок халькогенидных соединений. Показано, что при напряженности электрического поля, превышающей 104 В/см, ток растет экспоненциально с увеличением напряжения. При этом энергия активации температурной зависимости проводимости уменьшается с ростом напряженности электрического поля. На основе допущения о доминирующем влиянии на проводимость роста концентрации носителей заряда с увеличением напряженности поля предложена модель, которая удовлетворительно объясняет экспериментальные результаты. В качестве характеристических параметров модели использована эффективная подвижность носителей заряда ~10-2 см2/(В·с) и характеризующая влияние электрического поля длина активации ~(10-30) нм. PACS: 61.43.Dq, 73.50.Fq, 73.61.Jc
  1. Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1982). [Пер. с англ.: N.F. Mott, E.A. Davis. Electronic Processes in Non-Crystalline Materials (Clarendon Press, Oxford, 1979)]
  2. Электронные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках, под ред. К.Д. Цэндина (СПб., Наука, 1996)
  3. Б.Т. Коломиец, Э.А. Лебедев. Радиотехника и электроника, 8 (12), 2097 (1963)
  4. S.R. Ovshinsky. Phys. Rev. Lett., 21, 1450 (1968)
  5. S.R. Ovshinsky, H. Fritzsche. IEEE Trans. Electron Devices, 2, 91 (1973)
  6. A.L. Lacaita. Sol. St. Electron., 50, 24 (2006)
  7. A.C. Warren. IEEE Trans. Electron Devices, 2, 123 (1973)
  8. P.J. Walsh, J.E. Hall, R. Nicolaides, S. Defeo, P. Calella, J. Kuchmas, W. Doremus. J. Non-Cryst. Sol., 2, 107 (1970)
  9. J.M. Marshall, G.R. Miller. Phil. Mag, B 27, 1151 (1973)
  10. K.D. Tsendin. J. Optoelectronics Adv. Mater., 9 (10), 3035 (2007)
  11. D. Adler, M. Shur, M. Silver, S. Ovshinsky. J. Appl. Phys., 51 (6), 3289 (1980)
  12. A. Pirovano, A.L. Lacaita, F.P. Pelizzer, S.A. Kostylev, A. Benevenuti. IEEE Trans. Electron Devices, 51, 714 (2004)
  13. E.A. Fagen, H. Fritzsche. J. Non-Cryst. Sol., 2, 170 (1970)
  14. E. Voronkov. J. Non-Cryst. Sol., 353, 2591 (2007)
  15. D. Ielmini, Y. Zhang. J. Appl. Phys., 102, 054 517 (2007)
  16. D. Ielmini. Phys. Rev. B, 78, 035 308 (2008)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.