"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
О механизмах эффекта аномально больших фотонапряжений в пленках CdTe
Набиев Г.А.1
1Ферганский политехнический институт, Фергана, Узбекистан
Поступила в редакцию: 3 декабря 2008 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2009 г.

Предлагается метод определения вкладов асимметрии освещения и различия параметров p-n- и n-p-переходов p-n-p-структуры на эффект аномально больших фотонапряжений в пленках теллурида кадмия. PACS: 73.50.Pz
  1. Э.И. Адирович и др. В сб.: Фотоэлектрические явления в полупроводниках и оптоэлектроника (Ташкент, Изд-во ФАН, 1972) с. 143
  2. У.А. Арифов, Н. Абдуллаев, М.С. Арифджанова. ФТП, 10, 25 (1976)
  3. Д.А. Аронов, Ю.М. Юабов. ФТП, 18, 1318 (1984)
  4. Е.Г. Гулый, И.П. Жадько, В.А. Романов. ФТП, 16, 331 (1982)
  5. Г.Х. Хашимов, Г.А. Набиев. Изв. АН УзССР. Сер. физ.-мат. наук, 6, 59 (1988)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.