Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
О механизмах эффекта аномально больших фотонапряжений в пленках CdTe
1Ферганский политехнический институт, Фергана, Узбекистан 
Поступила в редакцию: 3 декабря 2008 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2009 г.
Предлагается метод определения вкладов асимметрии освещения и различия параметров p-n- и n-p-переходов p-n-p-структуры на эффект аномально больших фотонапряжений в пленках теллурида кадмия. PACS: 73.50.Pz
- Э.И. Адирович и др. В сб.: Фотоэлектрические явления в полупроводниках и оптоэлектроника (Ташкент, Изд-во ФАН, 1972) с. 143
- У.А. Арифов, Н. Абдуллаев, М.С. Арифджанова. ФТП, 10, 25 (1976)
- Д.А. Аронов, Ю.М. Юабов. ФТП, 18, 1318 (1984)
- Е.Г. Гулый, И.П. Жадько, В.А. Романов. ФТП, 16, 331 (1982)
- Г.Х. Хашимов, Г.А. Набиев. Изв. АН УзССР. Сер. физ.-мат. наук, 6, 59 (1988)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
