Вышедшие номера
Спин-орбитальное взаимодействие носителей заряда с примесями в ориентированных нанопроволоках Ge0.99Me0.01 (Me = Mn, Cr, Co, Fe)
Моргунов Р.Б.1, Дмитриев А.И.1, Мушенок Ф.Б.1, Казакова О.Л.2
1Институт проблем химической физики Российской академии наук, Черноголовка, Россия
2Национальная физическая лаборатория, Теддингтон, Соединенное королевство Великобритании
Поступила в редакцию: 13 ноября 2008 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2009 г.

Методом электронного спинового резонанса исследованы ориентированные нанопроволоки Ge0.99Me0.01 (Me = Mn, Cr, Co, Fe). В спектрах электронного спинового резонанса идентифицированы линии, отвечающие магнитоупорядоченной подсистеме локализованных спинов (кластеров сплавов Ge с переходными металлами), и асимметричная линия Дайсона, отвечающая электронному парамагнитному резонансу носителей заряда в Ge. Обнаружено закономерное уменьшение эффективного g-фактора асимметричной линии Дайсона с увеличением спин-орбитального взаимодействия в ряду ионов переходных металлов Mn2+, Cr2+, Fe3+, Co2+, которыми были легированы нанопроволоки Ge. PACS: 75.75.+a, 76.50.+g