Определение механизмов генерации фотонапряжения в полупроводниковых пленках с помощью спектральных зависимостей коэффициента поглощения и фотонапряжения
Набиев Г.А.1
1Ферганский политехнический институт, Фергана, Узбекистан
Поступила в редакцию: 5 августа 2008 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2009 г.
Предложен метод определения механизма генерации фотонапряжения в полупроводниковых пленках: разделение носителей на p-n-переходе или фотодиффузия носителей. Метод основан на спектральных характеристиках коэффициента поглощения и фотонапряжения. PACS: 73.50.Pz
- Э.И. Адирович и др. В сб.: Фотоэлектрические явления в полупроводниках и оптоэлектроника (Ташкент, Изд-во, ФАН, 1972) с. 143
- Э.И. Адирович и др. Изв. АН УзССР. Сер. физ.-мат. наук, N 3, 82 (1975),
- Н. Абдуллаев. ФТП, 20, 1742 (1986)
- В.Н. Агарев, Н.А. Степанова. ФТП, 34, 452 (2000)
- Э.И. Адирович, Ю.М. Юабов. ДАН СССР, 155 (6), 1286 (1964)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
