"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Связь между измеряемыми токами и зарядами в образце при диагностике неоднородных диэлектрических пленок
Дмитриев С.Г.1
1Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
Поступила в редакцию: 24 марта 2008 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2009 г.

Представлено соотношение между измеряемыми токами и токами в образце при диагностике неоднородных диэлектрических пленок. Рассмотрены примеры с многослойными структурами и квазистатическими методами диагностики, с учетом токов через границы раздела пленки и другие примеры. PACS: 73.40.Qv, 82.32.-y, 84.37.+q
  1. E.R. Nicollian, J.R. Brews. MOS (Metal--Oxdide--Semiconductor) Physics and Technology (N.Y., J. Willey \& Sons, 1982)
  2. W. Schockley. J. Appl. Phys., 9 (10), 635 (1938)
  3. S. Ramo. Proc. IRE, 27 (9), 584 (1939)
  4. E.H. Snow, A.S. Grove, B.E. Deal, C.T. Sah. J. Appl. Phys., 36 (5), 1664 (1965)
  5. N.J. Chou. J. Electrochem. Soc., 118, 601 (1971)
  6. M. Kuhn, D.J. Silversmith. J. Electrochem. Soc., 118 (6), 966 (1971)
  7. C.T. Sah, H.S. Fu. Phys. Status Solidi A, 11 (1), 297 (1972)
  8. D.J. DiMaria. In: The Physics of SiO2 and its Interfaces, ed. by S.T. Pantelides (N.Y., Pergamon Press, 1978) p. 160
  9. Ю.А. Гороховатский, Г.А. Бордовский. Термоактивационная токовая спектроскопия высокоомных полупроводников и диэлектриков (М., Наука, 1991)
  10. V.K. Adamchuk, V.V. Afanas'ev. Progr. Surf. Sci., 41 (2), 111 (1992)
  11. С.Г. Дмитриев, Ю.В. Маркин, В.Е. Сизов. РЭ, 51 (2), 133 (2006)
  12. С.Г. Дмитриев, Ю.В. Маркин. ФТП, 42 (1), 45 (2008)
  13. S.L. Miller, D.M. Fleetwood, P.J. McWhorter, R.A. Reber, jr., J.R. Murrey. J. Appl. Phys., 74 (8), 5068 (1993)
  14. С.Г. Дмитриев, Ю.В. Маркин. РЭ, 48 (3), 345 (2003)
  15. D.M. Boulin, J.R. Brews, E.H. Nicollian. Sol. St. Electron., 27 (11), 977 (1984)
  16. M. Yamin. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-12 (3), 88 (1965)
  17. D.R. Kerr. Proc. Int. Conf. on Properties and Use of MIS Structures, ed. by J. Bovel (Grenoble, France, 1969) p. 303
  18. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984)
  19. С.Г. Дмитриев, Ю.В. Маркин, В.Е. Сизов. РЭ, 51 (6), 763 (2006)
  20. C.N. Berglund. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-13 (10), 701 (1966)
  21. P.M. Lenahan, J.F. Conley, jr. J. Vac. Sci. Technol. B, 16 (4), 2134 (1998)
  22. P. Balk. Microelectronic Eng., 48, 3 (1999)
  23. D.M. Fleetwood, M.R. Shaneyfelt, W.L. Warren, J.R. Schwank, T.L. Meisenheimer, P.S. Winokur. Microelectron. Reliab., 35 (3), 403 (1995)
  24. M. Pepper. J. Phys. C, 10 (16), L445 (1977)
  25. J.D. Plummer, M.D. Deal, P.B. Griffin. Silicon VLSI Technology. Fundamentals, Practice and Modeling (Upper Saddle River, NJ 07458, Prentice Hall, 2000)
  26. L. Stauffer, T. Willey, T. Tiwald, R. Hance, P. Rai-Choudhury, D.R. Schroder. Sol. St. Technol., 38 (8), S3 (1995)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.