"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Сканирующая туннельная микроскопия структуры Si-SiO2: использование режима ошибки обратной связи при исследовании поверхности
Корнилов В.М.1, Лачинов А.Н.1, Логинов Б.А.2, Беспалов В.А.2
1Институт физики молекул и кристаллов Уфимского научного центра РАН, Уфа, Россия
2Московский государственный институт электронной техники (Технический университет), Зеленоград, Россия
Поступила в редакцию: 27 октября 2008 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2009 г.

Представлены результаты экспериментального исследования методом сканирующей туннельной микроскопии поверхности кремния с естественным слоем окисла. Показано, что наблюдаемая модификация поверхности вызвана образованием каналов утечки в слое двуокиси кремния. Методически обоснована и показана возможность использования режима ошибки обратной связи для создания и исследования каналов утечки, индуцированных напряжением на туннельном зазоре. Используемая методика позволяет исследовать особенности формирования токовых каналов и тем самым диагностировать электрофизические свойства нанометровых слоев SiO2. PACS: 68.37.Ef, 73.40.Gk
  1. А.А. Бухараев, А.В. Назаров, В.Ю. Петухов, К.М. Салихов. Письма ЖТФ, 16, 8 (1990)
  2. М.С. Хайкин, А.М. Трояновский, В.С. Эдельман, В.М. Пудалов, С.Г. Семенчинский. Письма ЖЭТФ, 44, 193 (1988)
  3. V.V. Levenets, V.I. Beklemishev, E.P. Kirilenko, I.I. Makhonin, A.Yu. Trifonov, B.A. Loginov, V.V. Protasenko. Jpn. J. Appl. Phys., 34, 1723 (1995)
  4. Д.В. Вялых, С.И. Федосеенко. ФТП, 33, 708 (1999)
  5. J.A. Dagata, J. Schneir, H.H. Harary, C.J. Evans, M.T. Postek, J. Bennet. Appl. Phys. Lett., 56, 2001 (1990)
  6. Л.Н. Болотов, В.А. Козлов, И.В. Макаренко, А.Н. Титков. ФТП, 27, 1375 (1993)
  7. J.W. Lyding, T.-C. Shen, J.S. Hubacek, J.R. Tucker, G.C. Abeln. Appl. Phys. Lett., 64, 2010 (1994)
  8. J.A. Dagata, F. Perez-Murano, C. Martin, H. Kuramochi, H. Yokoyama. J. Appl. Phys., 99, 2386 (2004)
  9. G. Abadal, F. Perez-Murano, N. Barniol, X. Aymerich. Appl. Phys. A, 66, 791 (1998)
  10. M. Porti, M. Nafria, M.C. Blum, X. Aymerich, S. Sadewasser. Surf. Sci., 532--535, 727 (2003)
  11. K. Ohmori, Z. Shigeaki, Y. Yasuda. Appl. Surf. Sci., 162--163, 395 (2000)
  12. E.T. Enikov, A. Palaria. Nanotechnology, 15, 1211 (2004)
  13. В.М. Корнилов, А.Н. Лачинов. ФТП, 37, 323 (2003)
  14. V.M. Kornilov, A.N. Lachinov. Microelectron. Eng., 69, 399 (2003)
  15. H. Watanabe, K. Fujita, M. Ichikawa. Appl. Phys. Lett., 72, 1987 (1998)
  16. А.В. Юхневич, О.П. Лосик, В.Л. Кузнецов, А.В. Паненко. Поверхность, N 8, 95 (2001)
  17. K. Kyuno, K. Kita, A. Toriumi. Appl. Phys. Lett., 86, 063 510 (2005)
  18. V.M. Kornilov, A.N. Lachinov. Phys. Low-Dim. Structur., 1/2, 145 (2004)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.