"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Самопроизвольное отделение слоя AlN, полученного методом сублимации, от подложки SiC-6H
Вольфсон А.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 24 декабря 2008 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2009 г.

Получение толстых слоев и объемных кристаллов AlN - одна из актуальных задач современной науки и техники. Основной метод ее решения - сублимационный, когда испаряемый при температуре около 2000oC слой AlN эптиаксиально наращивается на подложку SiC. Серьезной проблемой в этом случае является различие коэффициентов термического расширения этих материалов, которое при остывании до комнатной температуры приводит к изгибу, растрескиванию и большим механическим напряжениям в слое AlN. В данной работе рассмотрен случай самопроизвольного отделения не имеющего трещин слоя AlN от подложки SiC, что указывает на реальную возможность выстраивания такой технологии роста, при которой их разделение станет обязательным. Возможные причины самопроизвольного разделения слоя и подложки: 1) образование на интерфейсе прослойки алюминия; 2) развитие начальной стадии роста по схеме, описанной ранее, когда слой и подложка атомарно связаны только на отдельных относительно немногочисленных участках, где происходило зарождение растущего кристалла, а при остывании эти участки разрушались, и слой отделялся от подложки. Пока не ясно, какие особенности или аномалии ростового процесса привели к описываемому результату. PACS: 81.05.Ea, 81.10.Bk.
  1. E.N. Mokhov, O.V. Avddev, I.S. Barash, T.Yu. Chemekova et al. J. Cryst. Growth, 281, 93 (2005)
  2. R. Yakimova et al. Compoundsemiconductor. net. News, 29.08.2008. SIC pyramids yield AlN substrate solution

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.