"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Термо- и радиационно стабильные контакты к SiC на основе квазиаморфных пленок ZrB2
Беляев А.Е.1, Болтовец Н.С.2, Иванов В.Н.2, Капитанчук Л.М.3, Конакова Р.В.1, Кудрик Я.Я.1, Миленин В.В.1
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2Государственное предприятие Научно-исследовательский институт "Орион", Киев, Украина
3Институт электросварки им. Е.О. Патона Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 2 июля 2008 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2009 г.

Методами вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик в сочетании с послойным оже-анализом исследовались радиационная и термическая стабильность структур с барьером Шоттки, изготовленных магнетронным распылением диборида циркония на поверхность (0001) монокристаллов n-6H(15R)SiC, выращенных методом Лели, с концентрацией нескомпенсированых доноров ~1018см-3. Показано, что использование квазиаморфных пленок ZrB2 при изготовлении контактов на n-6H(15R)SiC не приводит к изменениям характеристик барьеров Шоттки при быстрых термических отжигах до 800oC в диапазоне доз облучения gamma-квантами 60Co103-107 Гр. PACS: 85.40.Ls, 85.30.Hi
  1. Е.В. Калинина. ФТП, 41 (7), 769 (2007)
  2. А. Лебедев, С. Сбруев. Электроника: Наука. Технология. Бизнес, (5), 23 (2006)
  3. О.А. Агеев. Проблемы технологии контактов к карбиду кремния (Таганрог, Изд-во ТРТУ, 2005)
  4. А.А. Лебедев, А.М. Иванов, Н.Б. Строкан. ФТП, 38 (2), 129 (2004)
  5. В.В. Козловский, П.А. Иванов, Д.С. Румянцев, В.Н. Ломасов, Т.П. Самсонова. ФТП, 38 (7), 778 (2004)
  6. Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг. ФТП, 41 (11), 1281 (2007)
  7. S.E. Saddow, A. Agarwal. Adwances in Silicon Carbide Processing and Applications (Boston-London, Artech House, Inc., 2004)
  8. T.N. Oder, P. Martin, A.V. Adedeji, T. Isaacs-Smith, J.R. Williams. J. Electroon. Mater., 36 (7), 805 (2007)
  9. M. Guziewicz, A. Piotrowska, E. Kaminska, K. Grasza, R. Diduszko, A. Stonert, A. Turos, M. Sochacki, J. Szmidt. Mater. Sci. Eng. B, 135 (3), 289 (2006)
  10. M. Willander, M. Frisel, Q. Wahab, B. Straumal. J. Mater. Sci.: Mater. Electron., 17, 1 (2006)
  11. B. Pesz, L. Toth, M.A. di Forte-Poisson, J. Vacas. Appl. Surf. Sci., 206, 8 (2003)
  12. Y. Gao, S.A. Perez-Garsia, L Nyborg. Mater. Sci. Forum, 556--557, 713 (2007)
  13. A.L. Barry, B. Lehman, D. Fritsch, D. Brauning. IEEE Trans. Nucl. Sci., 38 (6), pt 1, 1111 (1991)
  14. Properties of Advanced Semiconductor Materials: GaN, AlN, InN, SiC, SiGe, ed. by M.E. Levinshtein, S.L. Rumiantsev and M.S. Shur (N. Y., John Wiley \& Sons, 2001)
  15. N.S. Boltovets, V.N. Ivanov, R.V. Konakova, Ya.Ya. Kudryk, V.V. Milenin, O.S. Lytvyn, P.M. Lytvyn, S.I. Vlaskina, O.A. Agueev, A.M. Svetlichny, S.I. Soloviev, T.S. Sudarshan. SPQEO, 7 (1), 60 (2004)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.