"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние примеси хлора на длинноволновый край полосы поглощения монокристаллов CdTe
Попович В.Д.1, Potera P.2, Вирт И.С.1, Билык М.Ф.1
1Дрогобычский государственный педагогический университет им. И. Франко, Дрогобыч, Украина
2University of Rzeszow, 35-959 Rzeszow, Poland
Поступила в редакцию: 7 октября 2008 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2009 г.

Исследованы оптические спектры поглощения номинально чистых и легированных хлором монокристаллов CdTe, выращенных модифицированным методом физического транспорта через газовую фазу, в области длинноволнового края собственного поглощения при комнатной температуре. Показано, что экспоненциальная зависимость коэффициента поглощения нелегированных и слабо легированных образцов может быть объяснена выполнением правила Урбаха. В сильно легированных кристаллах край поглощения формируется оптическими переходами с участием хвостов плотности состояний, образованных вследствие флуктуации концентрации легирующей примеси. Рассчитаны характерный энергетический размер флуктуаций примесного потенциального рельефа и концентрации заряженных центров для случая сильно легированного материала. PACS: 71.20.Nr, 71.55.Gs, 78.20.Ci
  1. T. Takanashi, S. Watanabe. IEEE Trans. Nucl. Sci., 48, 950 (2001)
  2. X. Mathew. Sol. Energy Mater. Solar Cells, 76, 225 (2003)
  3. Л.В. Келдыш, Г.П. Прошко. ФТТ, 5, 3378 (1963)
  4. P.W. Dawis, T.S. Shilliday. Phys. Rev., 118, 1020 (1960)
  5. D.T.F. Marple. Phys. Rev., 150, 728 (1966)
  6. R. Segall. Phys. Rev., 150, 734 (1966)
  7. П.С. Киреев, Л.В. Волкова, В.В. Волков, Ю.В. Платонов. ФТП, 6, 135 (1972)
  8. М.А. Абдуллаев, С.И. Кохановский, О.С. Кощуг, Р.П. Сейсян. ФТП, 23, 1160 (1989)
  9. М.С. Бродин, Ю.П. Гнатенко, М.В. Курик, В.М. Матлак. ФТП, 3, 991 (1969)
  10. Н.В. Агринская, Е.Н. Аркадьева. ФТП, 6, 1630 (1972)
  11. D. Shaw, E. Watson. Phys. Status Solidi A, 49, 593 (1978)
  12. V.D. Popovych, I.S. Virt, F.F. Sizov, V.V. Tetyorkin, Z.E. Tsybrii (Ivasiv), L.O. Darchuk, O.A. Parfenjuk, M.I. Ilashchuk. J. Cryst. Growth, 308, 63 (2007)
  13. T. Mocc, Г. Барелл, Б. Эллис. Полупроводниковая оптоэлектроника (М., Мир, 1976)
  14. P. Hlidek, J. Bok, R. Grill. J. Appl. Phys., 90, 1672 (2001)
  15. Н.Ф. Мотт, Э.А. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1982)
  16. F. Urbach. Phys. Rev., 92, 1324 (1953)
  17. J.T. Mullins, J. Carles, A.W. Brinkman. J. Appl. Phys., 81, 6374 (1997)
  18. Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. ЖЭТФ, 59, 1343 (1970)
  19. M. Schall, M. Walther, P. Uhd Jepsen. Phys. Rev. B, 64, 094 301 (2001)
  20. S. Yamada. J. Phys. Soc. Jpn., 15, 1940 (1960)
  21. V.V. Tetyorkin, A.V. Sukach, V.D. Popovych, V.M. Popov. SPIE Proc., 5198, 200 (2004)
  22. Ю.С. Гальперн, А.Л. Эфрос. ФТП, 6, 1081 (1972)
  23. D. Shaw, E. Watson. J. Phys. C, 17, 4945 (1984)
  24. J. Malzbender, E.D. Jones, N. Shaw, J.B. Mullin. Semicond. Sci. Technol., 11, 741 (1996)
  25. Н.В. Агринская, О.А. Матвеев. ФТП, 9, 2190 (1975)
  26. Д.В. Корбутяк, С.Г. Крылюк, Н.Д. Вахняк, В.Д. Попович, Д.И. Цюцюра. УФЖ, 51, 691 (2006)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.