Вышедшие номера
Влияние энергии фотовозбуждения в процессе электронного облучения на дефектообразование в кристаллах n-Si
Пагава Т.А.1, Майсурадзе Н.И.1
1Грузинский технический университет, Республиканский центр структурных исследований (РЦСИ), Тбилиси, Грузия
Поступила в редакцию: 14 апреля 2008 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2009 г.

Исследовано влияние подсветки кристаллов n-Si в процессе облучения электронами на природу радиационных дефектов. Образцы, облученные электронами с энергией 2 МэВ, подвергались изохронному отжигу в интервале температур 200-600oC. После каждого цикла 20-минутного отжига методом Холла измерялась концентрация электронов в интервале температур 77-300 K. Показано, что при возбуждении в процессе облучения E-центров квантами с энергией hnu=0.44 эВ (длина волны lambda=2.8 мкм) в кристаллах n-Si образуются двухвакансионные фосфорсодержащие дефекты типа PV2, что приводит к увеличению радиационной стойкости исследуемых кристаллов. При возбуждении отрицательных вакансий V- квантами с hnu=0.28 эВ (lambda=4.4 мкм) общее количество радиационных дефектов растет в 1.2 раза. PACS: 61.72.Cc, 61.72.Ji, 61.80.Fe, 72.20.Fr, 72.20.My