Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние энергии фотовозбуждения в процессе электронного облучения на дефектообразование в кристаллах n-Si

Пагава Т.А.¹, Майсурадзе Н.И.¹

¹Грузинский технический университет, Республиканский центр структурных исследований (РЦСИ), Тбилиси, Грузия

Поступила в редакцию: 14 апреля 2008 г.

Выставление онлайн: 20 мая 2009 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследовано влияние подсветки кристаллов n-Si в процессе облучения электронами на природу радиационных дефектов. Образцы, облученные электронами с энергией 2 МэВ, подвергались изохронному отжигу в интервале температур 200-600^oC. После каждого цикла 20-минутного отжига методом Холла измерялась концентрация электронов в интервале температур 77-300 K. Показано, что при возбуждении в процессе облучения E-центров квантами с энергией hnu=0.44 эВ (длина волны lambda=2.8 мкм) в кристаллах n-Si образуются двухвакансионные фосфорсодержащие дефекты типа PV₂, что приводит к увеличению радиационной стойкости исследуемых кристаллов. При возбуждении отрицательных вакансий V^- квантами с hnu=0.28 эВ (lambda=4.4 мкм) общее количество радиационных дефектов растет в 1.2 раза. PACS: 61.72.Cc, 61.72.Ji, 61.80.Fe, 72.20.Fr, 72.20.My

П.Ф. Лугаков, В.В. Лукашевич. ФТП, 22, 2071 (1988)
J. Bowrgoin, M. Lannoo. Point Defects in Semiconductors, v. 2: Experimental Aspects (Springer, N.Y., 1983)
М.Ю. Барабаненков, А.В. Леонов, В.Н. Мордкович, Н.М. Омельянская. ФТП, 33, 897 (1999)
T. Pagava, O. Kharashvili, N. Maisuradze, G. Mtskeradze, E. Kutelia. Bull. Georg. Acad. Sci., 170 (1), 57 (2004)
П.Ф. Лугаков, В.В. Лукьяница. ФТП, 20, 742 (1986)
Т.А. Пагава. ФТП, 40, 915 (2006)
В.И. Губская, П.В. Кучинский, В.М. Ломако. ФТП, 20, 1055 (1986)
Л.С. Милевский, Т.М. Ткачева, Т.А. Пагава. ЖЭТФ, 69 [36(12)], 2132 (1975)
Т.А. Пагава. ФТП, 39, 424 (2005)
В.В. Лукьяница. ФТП, 37, 422 (2003)
Л.С. Милевский, В.С. Гарнык. ФТП, 13, 1369 (1979)
З.В. Башелейшвили, Т.А. Пагава. ФТП, 33, 924 (1999)
В.С. Вавилов, В.Ф. Киселев, Б.Н. Мукашев. Дефекты в кремнии и на его поверхности (М., Наука, 1990) гл. 3, с. 76
И.И. Кольковский, В.В. Лукьяница. ФТП, 31, 405 (1997)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель