Влияние энергии фотовозбуждения в процессе электронного облучения на дефектообразование в кристаллах n-Si
Пагава Т.А.1, Майсурадзе Н.И.1
1Грузинский технический университет, Республиканский центр структурных исследований (РЦСИ), Тбилиси, Грузия
Поступила в редакцию: 14 апреля 2008 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2009 г.
Исследовано влияние подсветки кристаллов n-Si в процессе облучения электронами на природу радиационных дефектов. Образцы, облученные электронами с энергией 2 МэВ, подвергались изохронному отжигу в интервале температур 200-600oC. После каждого цикла 20-минутного отжига методом Холла измерялась концентрация электронов в интервале температур 77-300 K. Показано, что при возбуждении в процессе облучения E-центров квантами с энергией hnu=0.44 эВ (длина волны lambda=2.8 мкм) в кристаллах n-Si образуются двухвакансионные фосфорсодержащие дефекты типа PV2, что приводит к увеличению радиационной стойкости исследуемых кристаллов. При возбуждении отрицательных вакансий V- квантами с hnu=0.28 эВ (lambda=4.4 мкм) общее количество радиационных дефектов растет в 1.2 раза. PACS: 61.72.Cc, 61.72.Ji, 61.80.Fe, 72.20.Fr, 72.20.My
- П.Ф. Лугаков, В.В. Лукашевич. ФТП, 22, 2071 (1988)
- J. Bowrgoin, M. Lannoo. Point Defects in Semiconductors, v. 2: Experimental Aspects (Springer, N.Y., 1983)
- М.Ю. Барабаненков, А.В. Леонов, В.Н. Мордкович, Н.М. Омельянская. ФТП, 33, 897 (1999)
- T. Pagava, O. Kharashvili, N. Maisuradze, G. Mtskeradze, E. Kutelia. Bull. Georg. Acad. Sci., 170 (1), 57 (2004)
- П.Ф. Лугаков, В.В. Лукьяница. ФТП, 20, 742 (1986)
- Т.А. Пагава. ФТП, 40, 915 (2006)
- В.И. Губская, П.В. Кучинский, В.М. Ломако. ФТП, 20, 1055 (1986)
- Л.С. Милевский, Т.М. Ткачева, Т.А. Пагава. ЖЭТФ, 69 [36(12)], 2132 (1975)
- Т.А. Пагава. ФТП, 39, 424 (2005)
- В.В. Лукьяница. ФТП, 37, 422 (2003)
- Л.С. Милевский, В.С. Гарнык. ФТП, 13, 1369 (1979)
- З.В. Башелейшвили, Т.А. Пагава. ФТП, 33, 924 (1999)
- В.С. Вавилов, В.Ф. Киселев, Б.Н. Мукашев. Дефекты в кремнии и на его поверхности (М., Наука, 1990) гл. 3, с. 76
- И.И. Кольковский, В.В. Лукьяница. ФТП, 31, 405 (1997)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
