Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Переход металл-изолятор в эпитаксиальных пленках n-3C-SiC

Лебедев А.А.¹, Абрамов П.Л.¹, Агринская Н.В.¹, Козуб В.И.¹, Кузнецов А.Н.¹, Лебедев С.П.¹, Оганесян Г.А.¹, Трегубова А.С.¹, Черняев А.В.¹, Шамшур Д.В.¹, Скворцова М.О.²

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Институт физики твердого тела Российской академии наук, Черноголовка, Московская обл., Россия Institute of Solid State Physics, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Russia

Institute of Solid State Physics, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Russia

Поступила в редакцию: 10 апреля 2008 г.

Выставление онлайн: 17 февраля 2009 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

На подложках гексагонального карбида кремния методом сублимационной эпитаксии выращены пленки n-3C-SiC. Проведено исследование низкотемпературной проводимости и магнетосопротивления полученных пленок в зависимости от уровня легирования и структурного качества. Обнаружено, что при концентрациях нескомпенсированных доноров N_d-N_a=<q3·10¹⁷ см^-3 в слое n-3C-SiC происходит переход металл-диэлектрик. PACS: 71.30.+h, 72.15.Gd, 72.20.Fr

А.А. Лебедев, Н.В. Агринская, П.Л. Абрамов, В.И. Козуб, Г.А. Оганесян, Л.М. Сорокин, А.В. Черняев, Д.В. Шамшур. Письма ЖТФ, 33, 24 (2007)
A.A. Lebedev, P.L. Abramov, N.V. Agrinskaya, V.I. Kozub, A.N. Kuznetsov, S.P. Lebedev, G.A. Oganesyan, L.M. Sorokin, A.V. Chernyaev, D.V. Shamshur. J. Mater. Sci.: Mater. Electron., 19 (2008)
А.А. Лебедев, В.В. Зеленин, П.Л. Абрамов, Е.В. Богданова, С.П. Лебедев, Д.К. Нельсон, Б.С. Разбирин, М.П. Щеглов, А.С. Трегубова, M. Suvajarvi, R. Yakimova. ФТП, 41, 273 (2007)
А.А. Лебедев, В.В. Зеленин, П.Л. Абрамов, С.П. Лебедев, А.Н. Смирнов, Л.М. Сорокин, М.П. Щеглов, R. Yakimova. Письма ЖТФ. 33 (12), 61 (2007)
A.A. Lebedev. Semicond. Sci. Technol., 21, R17 (2006)
А. Розенгрин. В кн.: Карбид кремния, под ред. Г. Хэниша, Р. Роя (М., Мир, 1972) с. 193
B.I. Shklovskii, B.Z. Spivak. In: Hopping Transport in Solids, ed. by M. Pollak, B. Shklovskii (Elsevier, 1991) p. 271
В.Ф. Гантмахер. Электроны в неупорядоченных средах (М., Физматлит, 2003)
N.M. Shmidt. In: Semiconductor Technology (Processing and Novel Fabrication Techiques), ed. by M.E. Levinshtein, M.S. Shur (John Wiley, N.Y., 1997) p. 1
L. Latu-Romain, D. Chaussende, C. Balloud, S. Juillaquet, L. Rapenne, E. Pernot, J. Camassel, M. Pons, R. Madar. Mater. Sci. Forum, 527-529, 99 (2006)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель