"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Особенности инфракрасных спектров отражения полупроводникового SmS в области гомогенности
Улашкевич Ю.В.1, Каминский В.В.1, Голубков А.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 3 июня 2008 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2009 г.

На поликристаллических образцах моносульфида самария в полупроводниковой фазе с составами Sm1+xS, лежащими внутри области гомогенности (0=<q x=<q0.17), измерены инфракрасные спектры отражения в диапазоне 5200-380 см-1 в интервале температур 300-600 K. Обнаружены 5 пиков с энергиями, лежащими в интервале 1150-880 см-1, положение которых слабо зависит от состава и температуры. Показано, что пики отражения связаны с переходами 7F0-7F2 4f-электронов ионов Sm2+. PACS: 71.20.Eh, 71.20.Nr, 78.30.Hv
  1. В.В. Каминский, А.В. Голубков. ФТТ, 21, 2805 (1979)
  2. A. Jayaraman, V. Narayanamurti, E. Bucher, R.G. Maines. Phys. Rev. Lett., 25, 368 (1970)
  3. В.В. Каминский, С.М. Соловьев. ФТТ, 43, 423 (2001)
  4. В.В. Каминский, Л.Н. Васильев. ФТТ, 50, 685 (2008)
  5. M.I. Nathan, F. Holtzberg, J.E. Smith, Jr., J.B. Torrance, J.C. Tsang. Phys. Rev. Lett., 34, 467 (1975)
  6. V. Zelezny, J. Petzelt, V.V. Kaminski, M.V. Romanova, A.V. Golubkov. Sol. St. Commun., 72 (1), 43 (1989)
  7. В.В. Каминский, А.В. Голубков, Л.Н. Васильев. ФТТ, 44, 1501 (2002)
  8. А.В. Голубков, Е.В. Гончарова, В.П. Жузе, Г.М. Логинов, В.М. Сергеева, И.А. Смирнов. Физические свойства халькогенидов РЗЭ (Л., Наука, 1973)
  9. Н.В. Шаренкова, В.В. Каминский, А.В. Голубков, Л.Н. Васильев, Г.А. Каменская. ФТТ, 47, 598 (2005)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.