"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Аномальная релаксация фотопроводимости в кремнии при высоких уровнях инжекции
Бородовский П.А.1, Булдыгин А.Ф.1, Голод С.В.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 2 июня 2008 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2009 г.

Исследуется аномальный эффект релаксации неравновесных носителей заряда в образцах кремния при их возбуждении импульсным светом лазерного диода (1060 нм / 500 мВт). Эксперименты проводились при высоких уровнях инжекции как с использованием СВЧ-измерений проводимости, так и обычной методики измерения релаксации фотопроводимости. Необычное явление наблюдалось в начальной области релаксации фотопроводимости после окончания импульса света. Предлагается упрощенная модель для объяснения аномального эффекта, включающая экситоны при высоких уровнях возбуждения. PACS: 71.55.Cn, 71.35.-y, 72.40.+w
  1. Г.И. Галкин. Тр. ФИАН, 128, 3 (1981)
  2. E. Yablonovich, T. Gmitter. Appl. Phys. Lett., 49, 587 (1986)
  3. П.А. Бородовский, А.Ф. Булдыгин, А.С. Токарев. ФТП, 38, 1043 (2004). [P.A. Borodovskii, A.F. Buldygin, A.S. Tokarev. Semiconductors, 38 (9), 1005 (2004).]
  4. П.А. Бородовский, А.Ф. Булдыгин, А.С. Токарев. Микроэлектроника, 35 (6), 403 (2006)
  5. Б.В. Зубов, А.А. Маненков, В.А. Миляев, Г.Н. Михайлова, Т.М. Мурин, В.А. Санина, А.Ф. Сеферов. Тр. ФИАН, 100, 51 (1977)
  6. Э.Л. Нолле. Тр. ФИАН, 128, 65 (1981)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.