Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Спинодальный распад твердых растворов ZnO-BeO
1Московский государственный технический университет им. Н.Э. Баумана, Калужский филиал, Калуга, Россия 
Поступила в редакцию: 17 марта 2008 г.
Выставление онлайн: 20 января 2009 г.
В приближении строго регулярных растворов рассчитана концентрационная область спинодального распада твердых растворов ZnO-BeO без учета и с учетом напряжений кристаллической решетки. Полученные данные сопоставлены с имеющимися экспериментальными результатами. PACS: 61.66.Dk, 64.75.-g, 81.05.Dz, 64.70.kg
- H. White, Y.R. Ryu. Compound Semiconductor, 12 (8), 16 (2006)
- S.F. Ding, G.H. Fan, S.T. Li, K. Chen, B. Xiao. Physica B, 394, 127 (2007)
- Y.R. Ryu, T.S. Lee, J.A. Lubguban, H.W. White, J.H. Leem, M.S. Han, Y.S. Park, C.J. Youn, W.J. Kim. Appl. Phys. Lett., 88, 052 103 (2006)
- Y.R. Ryu, T.S. Lee, J.A. Lubguban, H.W. White, B.J. Kim, Y.S. Park, C.J. Youn. Appl. Phys. Lett., 88, 241 108 (2006)
- T.S. Jeong, M.S. Han, J.H. Kim, S.J. Bae, C.J. Youn. J. Phys. D: Appl. Phys., 40, 370 (2007)
- W.J. Kim, J.H. Leem, M.S. Han, Y.S. Park, Y.R. Ryu, T.S. Lee. Appl. Phys. Lett., 99, 096 104 (2006)
- M.S. Han, J.H. Kim, T.S. Jeong, J.M. Park, C.J. Youn, J.H. Leem, Y.R. Ryu. J. Cryst. Growth, 303, 506 (2007)
- G.B. Stringfellow. Organometallic Vapor-Phase Epitaxy: Theory and Practice. (San Diego--London--Boston, Academic Press, 1999) p. 27
- В.В. Кузнецов, П.П. Москвин, В.С. Сорокин. Неравновесные явления при жидкостной гетероэпитаксии полупроводниковых твердых растворов (М., Металлургия, 1991) гл. 1, с. 15
- D. Schlenker, T. Miyamoto, Z. Chen, M. Kawaguchi, T. Kondo, E. Gouardes, J. Gemmer, C. Gemmer, F. Koyama, K. Iga. Jpn. J. Appl. Phys., 39, 5751 (2000)
- C. Lin, A.Z. Li. J. Cryst. Growth, 203, 511 (1999)
- H. Miki, K. Segawa, M. Otsubo, K. Shirahata, K. Fujibayashi. Jpn. J. Appl. Phys., 17, 2079 (1978)
- S.Yu. Karpov. MRS Internet J. Nitrude Semicond. Res., 3, 16 (1998)
- D.J. Bottomley, P. Fons. Jpn. J. Appl. Phys., 34, 1616 (1995)
- Р.П. Эллиот. Структуры двойных сплавов (М., Металлургия, 1970)
- И.И. Новиков, И.Л. Рогельберг. Структуры двойных сплавов (М., Металлургия, 1973) с. 636
- В.Б. Лазарев, В.В. Соболев, И.С. Шаплыгин. Химические и физические свойства простых оксидов металлов (М., Наука, 1983) с. 8
- И.Р. Шеин, В.С. Кийко, Ю.Н. Макурин, М.А. Горбунова, А.Л. Ивановский. ФТП, 49 (6), 1015 (2007)
- T. Takayama, M. Yuri, K. Iton, T. Baba, J.S. Harris, Jr. Jpn. J. Appl. Phys., 39, 5057 (2000)
- T. Takayama, M. Yuri, K. Iton, T. Baba, J.S. Harris, Jr. J. Cryst. Growth, 222, 29 (2001)
- T. Kimura, T. Matsuoka. Jpn. J. Appl. Phys., 24 (46), 574 (2007)
- T. Matsuoka. MRS Internet J. Nitride Semicond. Res., 3, 54 (1998)
- S.Yu. Karpov, N.I. Podolskaya, I.A. Zhmakin. Phys. Rev. B, 70, 235 203 (2004).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
