Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Неоднородность электрических свойств монокристаллов PbTe в направлении роста
1Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан 
Поступила в редакцию: 18 июня 2007 г.
Выставление онлайн: 20 января 2009 г.
Установлено, что вдоль монокристаллического слитка PbTe, выращенного методом Бриджмена, существует неоднородность электрических параметров, обусловленная неравномерным распределением "избыточного" теллура. В запрещенной зоне монокристаллов PbTe, кроме мелких акцепторных и донорных уровней, имеются глубокие акцепторные уровни с энергией активации ~0.1 эВ, не связанные с избыточным теллуром и проявляющиеся в образцах с малой концентрацией мелких уровней при относительно высоких температурах. PACS: 72.20.My, 72.20.Pa, 72.80.Ey
- Е. Патли. В кн.: Материалы, используемые в полупроводниковых приборах (М., Мир, 1968) с. 97
- Ю.И. Равич, Б.А. Ефимова, И.А. Смирнов. Методы исследования полупроводников в применении к халькогенидам свинца PbTe, PbSe, PbS (М., Наука, 1968)
- В.И. Кайданов, Ю.И. Равич. УФН, 145 (1), 51 (1985)
- Ю.И. Равич, С.А. Немов. ФТП, 36 (1), 3 (2002)
- З.Ф. Агаев, Э.М. Аллахвердиев, Г.М. Муртузов, Д.Ш. Абдинов. Неорг. матер., 39 (5), 543 (2003)
- С.Н. Лыков, Ю.И. Равич, И.А. Черник. ФТП, 11 (9), 1731 (1977)
- П.М. Старик, П.И. Воронюк. Изв. АН СССР. Сер. физ., 28 (8), 321 (1964)
- П.С. Киреев. Физика полупроводников (М., Высш. шк., 1975)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
