"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Неоднородность электрических свойств монокристаллов PbTe в направлении роста
Мустафаев Н.Б.1, Багиева Г.З.1, Ахмедова Г.А.1, Агаев З.Ф.1, Абдинов Д.Ш.1
1Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
Поступила в редакцию: 18 июня 2007 г.
Выставление онлайн: 20 января 2009 г.

Установлено, что вдоль монокристаллического слитка PbTe, выращенного методом Бриджмена, существует неоднородность электрических параметров, обусловленная неравномерным распределением "избыточного" теллура. В запрещенной зоне монокристаллов PbTe, кроме мелких акцепторных и донорных уровней, имеются глубокие акцепторные уровни с энергией активации ~0.1 эВ, не связанные с избыточным теллуром и проявляющиеся в образцах с малой концентрацией мелких уровней при относительно высоких температурах. PACS: 72.20.My, 72.20.Pa, 72.80.Ey
  1. Е. Патли. В кн.: Материалы, используемые в полупроводниковых приборах (М., Мир, 1968) с. 97
  2. Ю.И. Равич, Б.А. Ефимова, И.А. Смирнов. Методы исследования полупроводников в применении к халькогенидам свинца PbTe, PbSe, PbS (М., Наука, 1968)
  3. В.И. Кайданов, Ю.И. Равич. УФН, 145 (1), 51 (1985)
  4. Ю.И. Равич, С.А. Немов. ФТП, 36 (1), 3 (2002)
  5. З.Ф. Агаев, Э.М. Аллахвердиев, Г.М. Муртузов, Д.Ш. Абдинов. Неорг. матер., 39 (5), 543 (2003)
  6. С.Н. Лыков, Ю.И. Равич, И.А. Черник. ФТП, 11 (9), 1731 (1977)
  7. П.М. Старик, П.И. Воронюк. Изв. АН СССР. Сер. физ., 28 (8), 321 (1964)
  8. П.С. Киреев. Физика полупроводников (М., Высш. шк., 1975)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.