"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
О роли экранирования электрон-фононного взаимодействия в релаксации фотовозбужденной электронно-дырочной плазмы в полупроводнике
Кумеков С.Е.1
1Казахский национальный технический университет им. К.И. Сатпаева, Алматы, Казахстан
Поступила в редакцию: 6 февраля 2008 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2008 г.

Проведены аналитические оценки роли экранирования взаимодействия электронно-дырочной плазмы с оптическими фононами на примере арсенида галлия. PACS: 71.35.Fe, 71.38.-k.
  1. С.Е. Кумеков, В.И. Перель. ЖЭТФ, 94, 346 (1988)
  2. W. Potz, P. Cocevar. Phys. Rev. B, 28, 7040 (1983)
  3. О. Маделунг. Теория твердого тела (М., Наука, 1980)
  4. I.L. Bronevoi, A.N. Krivonosov, V.I. Perel'. Sol. St. Commun., 94, 905 (1995)
  5. И.Л. Броневой, А.Н. Кривоносов. ФТП, 33, 19 (1999)
  6. Н.Н. Агеева, И.Л. Броневой, А.Н. Кривоносов, С.Е. Кумеков, С.В. Стеганцов. ФТП, 36, 144 (2002)
  7. Н.Н. Агеева, И.Л. Броневой, А.Н. Кривоносов, Т.А. Налет, С.В. Стеганцов. ФТП, 41, 1418 (2007)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.