"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
О пространственной симметрии возбужденных состояний в полупроводниках AIIIBV в Gamma-точке
Дымников В.Д.1, Константинов О.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 6 февраля 2008 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2008 г.

Определена пространственная симметрия возбужденных состояний в Gamma-точке полупроводников AIIIBV. Вычислен оптический матричный элемент, связывающий валентную зону с низшей возбужденной зоной симметрии Gamma8. Полученные результаты находятся в согласии с общепринятой зонной моделью AIIIBV в Gamma-точке. PACS: 61.50.Ah, 78.20.-e
  1. M. Cohen, T. Bergstresser. Phys. Rev., 141, 789 (1966)
  2. F. Pollak, C. Higginbotham, M. Cardona. Proc. Int. Conf. Semicond. Phys. (Kyoto, 1066) p. 20; Тр. IX Межд. конф. по физике полупроводников (Л., Наука, 1969) т. 1, с. 61
  3. В.Д. Дымников. ФТТ, 47 (4), 591 (2005)
  4. G. Dresselhaus. Phys. Rev., 100 (2), 580 (1955)
  5. В.Д. Дымников. ФТТ. 43 (11), 1957 (2001)
  6. Г.Л. Бир, Г.Е. Пикус. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках (М., Наука, 1972)
  7. J.M. Luttinger. Phys. Rev., 102 (4), 1030 (1956)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.