Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

О природе затухающих колебаний тока при образовании статического акустоэлектрического домена в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs с квантовыми ямами

Белевский П.А.¹, Винославский М.Н.¹, Порошин В.Н.¹, Строганова И.В.¹

¹Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина Institute of Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kyiv, Ukraine

Поступила в редакцию: 20 сентября 2007 г.

Выставление онлайн: 19 апреля 2008 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Экспериментально показано, что отражение от границ образца акустического потока в условиях возникновения статического акустоэлектрического домена в гетероструктуре n-InGaAs/GaAs с квантовыми ямами в латеральном электрическом поле существенно влияет на длительность инкубационного времени образования домена, форму и амплитуду колебаний тока. PACS: 72.50.+b, 73.50.Rb, 77.65.Dq, 73.63.Hs

P.K. Tien. Phys. Rev., 171 (3), 970 (1968)
В.И. Пустовойт. УФН, 77, 257 (1969)
R. Bray. IBM J. Res. Develop., September, 487 (1969)
В.Л. Бонч-Бруевич, И.П. Звягин, А.Г. Миронов. Доменная электрическая неустойчивость в полупроводниках (М., Наука, 1972)
В.М. Рысаков. ФТТ, 39 (5), 835 (1997)
N. Balkan, B.K. Ridley, J.S. Roberts. Superlat Microstruct., 5 (4), 539 (1989)
А.В. Антонов, А.В. Гавриленко, В.И. Гавриленко, Е.В. Демидов, Б.Н. Звонков, Е.А. Ускова, М.Н. Винославский, П.А. Белевский, А.В. Кравченко. Изв. АН. Сер. физ., 68 (1), 68 (2004)
А.В. Антонов, В.И. Гавриленко, Е.В. Демидов, Б.Н. Звонков, Е.А. Ускова. ФТП 39 (1), 53 (2005)
V.Ya. Aleshkin, A.A. Anlronov, A.V. Antonov, E.V. Demidov, A.A. Dubinov, V.I. Gavrilenko, D.G. Revin, B.N. Zvonkov, N.B. Zvonkov, E.V. Uskova, L.E. Vorobjev, D.A. Firsov, S.N. Danilov, I.E. Titkov, V.A. Shalygin, A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, V.M. Ustinov. Proc. SPIE, 4318, 192 (2001)
V.V. Vainberg, Yu.N. Gudenko, P.A. Belevskii, M.N. Vinoslavskii, V.N. Poroshin, V.M. Vasetskii. Nanosystems, nanomaterials, nanotechnology, 4 (1), 63 (2006)
Z.S. Gribnikov, K. Hess, G.A. Kozinovsky. J. Appl. Phys., 77 (4), 1337 (1995)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель