Вышедшие номера
Влияние водорода на анизотропию скорости роста p-GaN при газофазной эпитаксии из металлорганических соединений на стенках мезаполосков
Лундин В.В.1, Николаев А.Е.1, Сахаров А.В.1, Цацульников А.Ф.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 23 апреля 2007 г.
Выставление онлайн: 20 января 2008 г.

Исследовано влияние состава газа-носителя на анизотропию скоростей роста p-GaN при селективной газофазной эпитаксии из металлорганических соединений. Слои p-GaN номинальной толщиной ~400 нм выращивались на гранях GaN мезаполосков, предварительно сформированных локальной эпитаксией в полосковых окнах в Si3N4. Показано, что при использовании водорода в качестве газа-носителя рост p-GaN происходит преимущественно в латеральном направлении, и на верхних гранях мезаполосков слой p-GaN отсутствует или имеет малую толщину, в то время как при использовании в качестве газа-носителя азота рост в нормальном (0001) направлении доминирует, и слой p-GaN формируется на всех гранях мезаполоска. Результаты исследования свидетельствуют о существенной роли водорода в процессе эпитаксиального роста GaN и могут быть использованы при разработке технологии приборов с p-n-переходами на основе GaN с применением методов селективной эпитаксии. PACS: 78.55.Cr, 81.05.Ea, 81.10.Aj, 81.10.Bk, 81.15.Gh, 85.60.Jb
  1. T. Wunderer, P. Bruckner, B. Neubert, F. Scholz, M. Feneberg, F. Lipski, M. Schirra, K. Thonke. Appl. Phys. Lett., 89, 041 121 (2006)
  2. A. Tyagi, H. Zhong, N.N. Fellows, M. Iza, J.S. Speck, S.P. DenBaars, S. Nakamura. Jpn. J. Appl. Phys., 46, L129 (2007)
  3. M. Funato, M. Ueda, Y. Kawakami, Y. Narukawa, T. Kosugi, M. Takahashi, T. Mukai. Jpn. J. Appl. Phys., 45, L659 (2006)
  4. Д.А. Закгейм, И.П. Смирнова, И.В. Рожанский, С.А. Гуревич, М.М. Кулагина, Е.М. Аракчеева, Г.А. Онушкин, А.Л. Закгейм, Е.Д. Васильева, Г.В. Иткинсон. ФТП, 39 (7), 885 (2005)
  5. V.A. Zabelin, D.A. Zakheim, S.A. Gurevich. IEEE J. Quant. Electron., 40, 1675 (2004)
  6. E.E. Zavarin, D.S. Sizov, W.V. Lundin, A.F. Tsatsulnikov, R.A. Talalaev, A.V. Kondratyev, O.V. Bord. Proc. 15th Eur. Conf. on Chemical Vapour Deposition EuroCVD-15 (Bochum, 2005) [ Proc. Electrochemical Society (ECS) (2005) p. 299]
  7. W.V. Lundin, E.E. Zavarin, D.S. Sizov, M.A. Sinitsin, A.F. Tsatsulnikov, R.A. Talalaev. Abstract Eur. Workshop on Metalorganic Vapour Phase Epitaxy EW-MOVPE XI (Lausanne, 2005) p. 331
  8. A.V. Sakharov, W.V. Lundin, I.L. Krestnikov, D.A. Bedarev, A.F. Tsatsulnikov, A.S. Usikov, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, A. Hoffmann, D. Bimberg. In: Proc. Int Workshop on Nitride Compounds IWN-2000 (Nagoya, 2000)
  9. H. Miyake, A. Motogaito, K. Hiramatsu. Jpn. J. Appl. Phys., 38, L1000 (1999)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.