"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Оптические параметры диодных лазеров на основе InAsSb/InAsSbP-гетероструктуры
Астахова А.П.1, Безъязычная Т.В.2, Буров Л.И.3, Горбацевич А.С.3, Рябцев А.Г.3, Рябцев Г.И.2, Щемелев М.А.3, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт физики им. Б.И. Степанова Национальной академии наук Беларуси, Минск, Беларусь
3Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
Поступила в редакцию: 22 мая 2007 г.
Выставление онлайн: 20 января 2008 г.

Для InAsSb/InAsSbP-диодных лазеров, генерирующих на длине волны 3.1-3.2 мкм, впервые определены скорости излучательной (включая переходы, индуцированные усиленной люминесценцией) и безызлучательной рекомбинации, внутренний квантовый выход люминесценции и матричный элемент для зона-зонных оптических переходов. Установлено, что вклад безызлучательной рекомбинации в порог генерации может составлять 97%. Внутренний квантовый выход люминесценции для соединения InAs0.97Sb0.03 не превышает трех процентов. Вероятнее всего, безызлучательный канал формируется с участием оже-рекомбинации с константой C=4.2· 10-38 м6·с-1 (T=77 K). Исследованные образцы излучателей характеризуются относительно малыми оптическими потерями rho=900 м-1 и внутренним квантовым выходом генерации на уровне 0.6. Оцененное по скорости излучательной рекомбинации спонтанное время жизни неравновесных носителей заряда равно 6· 10-8 с, что согласуется с известными литературными данными. PACS: 42.55.Px, 78.20.Bh
  1. А.П. Данилова, Т.Н. Данилова, А.Н. Именков, Н.М. Колчанова, М.В. Степанов, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 33 (2), 243 (1999)
  2. А.П. Данилова, А.Н. Именков, Н.М. Колчанова, С. Цивиш, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 33 (12), 1469 (1999)
  3. А.Н. Именков, Н.М. Колчанова, П. Кубат, С. Цивиш, Ю.П. Яковлев. ФТП, 36 (5), 622 (2002)
  4. А.П. Астахова, Т.Н. Данилова, А.Н. Именков, Н.М. Колчанова, Ю.П. Яковлев. ФТП, 37 (8), 985 (2003)
  5. A. Joullie, P. Christol, A.N. Baranov, A. Vicet. Topics in Applied Physics: Solid-State Mid-Infrared Laser Sources, Berlin-Heidelberg: Springer Publisher, 89, 1 (2003)
  6. А.П. Астахова, Н.Д. Ильинская, А.Н. Именков, С.С. Кижаев, С.С. Молчанов, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 30 (24), 26 (2004)
  7. А.П. Астахова, Н.Д. Ильинская, А.Н. Именков, С.С. Кижаев, С.С. Молчанов, Ю.П. Яковлев. ФТП, 39 (4), 497 (2005)
  8. S. Adachi. J. Appl. Phys., 66 (12), 6030 (1989)
  9. В.А. Самойлюкович, В.П. Грибковский, В.К. Кононенко. Квант. электрон., 3 (9), 103 (1972)
  10. В.П. Грибковский. Теория поглощения и испускания света в полупроводниках (Минск, Наука и техника, 1975)
  11. V.P. Gribkovskii. Prog. Quant. Electron., 19, 41 (1995)
  12. В.П. Грибковский, В.К. Кононенко, В.А. Самойлюкович. Квантовая электроника и лазерная спектроскопия: Основные каналы потерь энергии в инжекционных лазерах (Минск, 1971)
  13. В.К. Кононенко, В.П. Грибковский. ФТП, 10 (5), 1875 (1971)
  14. Методы расчета оптических квантовых генераторов, под ред. Б.И. Степанова, (Минск, Наука и техника, 1966) т. 1--4
  15. G. Lasher, F. Stern. Phys. Rev., 133, A553 (1964)
  16. В.К. Кононенко, В.П. Грибковский. ЖПС, 9 (5), 789 (1968)
  17. В.П. Грибковский, В.К. Кононенко, В.А. Самойлюкович. Внутренние параметры инжекционных лазеров и их экспериментальное определение (Минск, Ин-т физики НАН Беларуси, 1970)
  18. H.H. Gao, A. Krier, V. Sherstnev, Y. Yakovlev. J. Phys. D: Phys., 32, 1768 (1999)
  19. 8.814 http:// www.ioffe.rssi.ru/SVA/NSM/Semicond/InAsSb/basic.html
  20. A.G. Ryabtsev, E.V. Lutsenko, G.I. Ryabtsev, G.P. Yablonskii, A.S. Smal, B. Schineller, M. Heuken. Phys. Status. Solidi C, 0 (1), 479 (2002)
  21. Г.И. Рябцев, А.С. Смаль. ЖПС, 70 (4), 490 (2003)
  22. Б.Л. Гельмонт, З.Н. Соколова. ФТП, 16 (9), 1670 (1982)
  23. M. Takeshima. Phys. Rev. B, 30 (6), 3302 (1984)
  24. Б.Л. Гельмонт, З.Н. Соколова, И.Н. Яссиевич. ФТП, 16 (4), 592 (1982)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.