"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Диффузия хрома в эпитаксиальный арсенид галлия
Вилисова М.Д.1, Другова Е.П.2, Пономарев И.В.1, Чубирко В.А.2
1Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
2Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов, Томск, Россия
Поступила в редакцию: 12 марта 2007 г.
Выставление онлайн: 20 января 2008 г.

Исследована диффузия Cr в эпитаксиальный GaAs в открытой системе в диапазоне температур 750-850oC. Определена температурная зависимость коэффициента диффузии и растворимости хрома в GaAs. Температурная зависимость коэффициента диффузии и растворимости Cr описывается уравнением Аррениуса с параметрами для коэффициента диффузии: D0=1.9·109 см2/с, E=4.1±0.2 эВ; для растворимости: N0=2.3·1024 см-3, E0=1.9±0.4 эВ. Изучено влияние защитной пленки SiO2 на коэффициент диффузии Cr и морфологию поверхности GaAs после диффузии. PACS: 66.30.Jt, 68.55.Ln, 81.05.Ea
  1. M.D. Deal, D.A. Stevenson. J. Appl. Phys., 59 (7), 2398 (1986)
  2. B. Tuck, G.A. Adegboyega. J. Phys. D: Appl. Phys., 12 (11), 1895 (1979)
  3. С.С. Хлудков, О.Б. Корецкая, А.В. Тяжев. ФТП, 38 (3), 274 (2004)
  4. С.С. Хлудков, О.Б. Корецкая, Г.Р. Бурнашева. ФТП, 40 (9), 1025 (2006)
  5. И.А. Прудаев, М.В. Ардышев. Известия вузов. Физика, 48 (6), 46 (2005)
  6. М.Д. Вилисова, В.П. Гермогенов, Е.П. Другова, Д.Ю. Мокеев, И.В. Пономарев, Л.П. Пороховниченко, О.П. Толбанов, В.А. Чубирко. Матер. IX конф. "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III--V" (Томск, Россия, 2006) с. 485
  7. О.М. Асанов, А.В. Градобоев, Н.Д. Гранкина, В.Г. Кустов. Электронная промышленность, 3, 41 (1981)
  8. М.Г. Мильвидский, В.Б. Освенский. Структурные дефекты в эпитаксиальных слоях полупроводников (М., Металлургия, 1985)
  9. Т.Д. Джафаров. Дефекты и диффузия в эпитаксиальных структурах (Л., Наука, 1978)
  10. M.D. Deal, R.A. Gasser, D.A. Stevenson. J. Phys. Chem. Sol., 46 (7), 859 (1985)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.