"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Восстановление профиля потенциала в изолирующем слое по вольт-амперным характеристикам туннельных МДП диодов
Гольдман Е.И.1, Ждан А.Г.1, Кухарская Н.Ф.1, Черняев М.В.2
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
2ОАО "НИИМЭ и Микрон", Зеленоград, Россия
Поступила в редакцию: 5 марта 2007 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2007 г.

Развит метод восстановления профиля потенциала в изолирующем слое по полевым зависимостям туннельного тока сквозь него. Из туннельных вольт-амперных характеристик в квазиклассическом приближении определяются значения координат точек поворота как функций напряжения на диэлектрическом промежутке, и по этим зависимостям параметрически строится потенциал. Развитый алгоритм использован в отношении структуры n+-Si-SiO2-n-Si с толщиной окисла 37 Angstrem. Для реального потенциального рельефа в SiO2 характерны относительно толстые слои (~ 10 Angstrem) с пониженным значением потенциала, отделяющие Si от собственно барьера, ограничивающего туннелирование электронов. PACS: 73.40.Gk, 73.40.Qv, 73.40.Rw, 85.30.Mn
  1. E.R. Nicollian, J.R. Brews. MOS ( Metal-Oxide-Semiconductor) Physics and Technology (N. Y., John Willey \& Sons, 1982)
  2. E.I. Goldman, N.F. Kukharskaya, A.G. Zhdan. Sol. St. Electron., 48, 831 (2004)
  3. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 2. [Пер. с англ.: S.M. Sze. Physics of Semiconductor Devices (J. Wiley \& Sons, 1981)]
  4. L.A. Kasprzak, R.B. Laibowitz, M. Ohring. J. Appl. Phys., 48, 4281 (1977)
  5. S. Horiguchi, H. Yoshino. J. Appl. Phys., 58, 1597 (1985)
  6. M. Stadele, F. Sacconi, A. Di Carlo, P. Lugli. J. Appl. Phys., 93, 2681 (2003)
  7. Z.A. Weinberg. Sol. St. Electron., 20, 11 (1977)
  8. Farhan Rana, Sandip Tiwari, D.A. Buchanan. Appl. Phys. Lett., 69, 1104 (1996)
  9. O. Simonetti, T. Maurel, M. Jourdain. J. Appl. Phys., 92, 4449 (2002)
  10. L.F. Register, E. Rosenbaum, K. Yang. Appl. Phys. Lett., 74, 457 (1999)
  11. F. Stern. Phys. Rev. B, 17, 5009 (1978)
  12. Т. Андо, А. Фаулер, Ф. Стерн. Электронные свойства двумерных систем (М., Мир, 1985) с. 77. [Пер. с англ.: T. Ando, A. Fowler, F. Stern. Rev. Mod. Phys., 54 (2), (1982)]
  13. A. Hadjadi, G. Salace, C. Petit. J. Appl. Phys., 89, 7994 (2001)
  14. А.Г. Ждан, Н.Ф. Кухарская, В.Г. Нарышкина, Г.В. Чучева. ФТП, 41, 1135 (2007)
  15. O. Simonetti, T. Maurel, M. Jourdain. J. Non-Cryst. Sol., 280, 110 (2001)
  16. А.Г. Ждан, Н.Ф. Кухарская, Г.В. Чучева. ПТЭ, N 2, 120 (2002)
  17. Е.И. Гольдман, А.Г. Ждан. Микроэлектроника, 23, 3 (1994)
  18. Е.И. Гольдман, А.Г. Ждан, Ю.В. Гуляев, Г.В. Чучева. ФТП, 39, 697 (2005)
  19. Е.И. Гольдман, А.Г. Ждан, Ю.В. Гуляев, Г.В. Чучева. ФТП, 40, 195 (2006)
  20. А.Н. Тихонов, В.А. Арсенин. Методы решения некорректных задач (М., Наука, 1986)
  21. Е.И. Гольдман, В.А. Иванов. Адаптивный тихоновский алгоритм построения производных экспериментальных зависимостей. [Препринт ИРЭ РАН N 22(551) (М., 1990)]

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.