Восстановление профиля потенциала в изолирующем слое по вольт-амперным характеристикам туннельных МДП диодов
Гольдман Е.И.1, Ждан А.Г.1, Кухарская Н.Ф.1, Черняев М.В.2
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
2ОАО "НИИМЭ и Микрон", Зеленоград, Россия
Поступила в редакцию: 5 марта 2007 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2007 г.
Развит метод восстановления профиля потенциала в изолирующем слое по полевым зависимостям туннельного тока сквозь него. Из туннельных вольт-амперных характеристик в квазиклассическом приближении определяются значения координат точек поворота как функций напряжения на диэлектрическом промежутке, и по этим зависимостям параметрически строится потенциал. Развитый алгоритм использован в отношении структуры n+-Si-SiO2-n-Si с толщиной окисла 37 Angstrem. Для реального потенциального рельефа в SiO2 характерны относительно толстые слои (~ 10 Angstrem) с пониженным значением потенциала, отделяющие Si от собственно барьера, ограничивающего туннелирование электронов. PACS: 73.40.Gk, 73.40.Qv, 73.40.Rw, 85.30.Mn
- E.R. Nicollian, J.R. Brews. MOS ( Metal-Oxide-Semiconductor) Physics and Technology (N. Y., John Willey \& Sons, 1982)
- E.I. Goldman, N.F. Kukharskaya, A.G. Zhdan. Sol. St. Electron., 48, 831 (2004)
- С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 2. [Пер. с англ.: S.M. Sze. Physics of Semiconductor Devices (J. Wiley \& Sons, 1981)]
- L.A. Kasprzak, R.B. Laibowitz, M. Ohring. J. Appl. Phys., 48, 4281 (1977)
- S. Horiguchi, H. Yoshino. J. Appl. Phys., 58, 1597 (1985)
- M. Stadele, F. Sacconi, A. Di Carlo, P. Lugli. J. Appl. Phys., 93, 2681 (2003)
- Z.A. Weinberg. Sol. St. Electron., 20, 11 (1977)
- Farhan Rana, Sandip Tiwari, D.A. Buchanan. Appl. Phys. Lett., 69, 1104 (1996)
- O. Simonetti, T. Maurel, M. Jourdain. J. Appl. Phys., 92, 4449 (2002)
- L.F. Register, E. Rosenbaum, K. Yang. Appl. Phys. Lett., 74, 457 (1999)
- F. Stern. Phys. Rev. B, 17, 5009 (1978)
- Т. Андо, А. Фаулер, Ф. Стерн. Электронные свойства двумерных систем (М., Мир, 1985) с. 77. [Пер. с англ.: T. Ando, A. Fowler, F. Stern. Rev. Mod. Phys., 54 (2), (1982)]
- A. Hadjadi, G. Salace, C. Petit. J. Appl. Phys., 89, 7994 (2001)
- А.Г. Ждан, Н.Ф. Кухарская, В.Г. Нарышкина, Г.В. Чучева. ФТП, 41, 1135 (2007)
- O. Simonetti, T. Maurel, M. Jourdain. J. Non-Cryst. Sol., 280, 110 (2001)
- А.Г. Ждан, Н.Ф. Кухарская, Г.В. Чучева. ПТЭ, N 2, 120 (2002)
- Е.И. Гольдман, А.Г. Ждан. Микроэлектроника, 23, 3 (1994)
- Е.И. Гольдман, А.Г. Ждан, Ю.В. Гуляев, Г.В. Чучева. ФТП, 39, 697 (2005)
- Е.И. Гольдман, А.Г. Ждан, Ю.В. Гуляев, Г.В. Чучева. ФТП, 40, 195 (2006)
- А.Н. Тихонов, В.А. Арсенин. Методы решения некорректных задач (М., Наука, 1986)
- Е.И. Гольдман, В.А. Иванов. Адаптивный тихоновский алгоритм построения производных экспериментальных зависимостей. [Препринт ИРЭ РАН N 22(551) (М., 1990)]
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
