Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2008, выпуск 1 » Статья стр. 101
<<<>>>
Сэндвич-структура InGaAs/GaAs с квантовыми точками для инфракрасных фотоприемников
Молдавская Л.Д.1, Востоков Н.В.1, Гапонова Д.М.1, Данильцев В.М.1, Дроздов М.Н.1, Дроздов Ю.Н.1, Шашкин В.И.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 11 апреля 2007 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2007 г.
PDF версия
Обсуждается новый вариант формирования гетероструктур InAs/GaAs с квантовыми точками для фотоприемников инфракрасного диапазона методом металлорганической газофазной эпитаксии. Особенностями процесса являются использование повышенного времени роста квантовых точек и чередование низко- и высокотемпературного режимов заращивания квантовых точек барьерными слоями GaAs. В процессе заращивания происходят частичное растворение крупных квантовых точек и формирование вторичной квантовой ямы InGaAs из материала растворенных больших островков. При этом образуется сэндвич-структура, в которой квантовые точки расположены между двумя тонкими слоями с повышенным содержанием индия - смачивающим слоем InAs и вторичным слоем InGaAs. Высота квантовых точек определяется толщиной слоя низкотемпературного GaAs. Для полученных структур характерна внутризонная фотопроводимость в области 4.5 мкм вплоть до 200 K. При 90 K фоточувствительность составляет 0.5 A/Bт, обнаружительная способность 3·109 см·Гц1/2Вт-1. PACS: 68.65.Hb, 73.50.Pz, 73.63.Kv, 78.55.Cr, 78.67.Hc, 81.15.Gh
  1. W. Zhang, H. Lim, M. Taguchi, S. Tsao, B. Movaghar, M. Razeghi. Appl. Phys. Lett., 86, 191 103 (2005)
  2. D. Pal, E. Towe. Appl. Phys. Lett., 88, 153 109 (2006)
  3. S. Chakrabarti, A.D. Stiff-Roberts, X.H. Su, P. Bhattacharya, G. Ariyawansa, A.G.U. Perera. J. Phys. D: Appl. Phys., 38, 2135 (2005)
  4. S. Krishna. J. Phys. D: Appl. Phys., 38, 2142 (2005)
  5. S. Raghavan, D. Forman, P. Hill, N.R. Weisse-Bernstein, G. von Winckel, P. Rotalla, S. Krishna, S.W. Kennerly, J.W. Little. J. Appl. Phys., 96 (2), 1036 (2004)
  6. E.-T. Kim, A. Madhukar, Z. Ye, J.C. Campbell. Appl. Phys. Lett., 84, 3277 (2004)
  7. P. Bhattacharya, X.H. Su, S. Chakrabarti, G. Ariyawansa, A.G.U. Perera. Appl. Phys. Lett., 86, 191 106 (2005)
  8. L.D. Moldavskaya, V.M. Daniltsev, M.N. Drozdov, V.R. Zakamov, V.I. Shashkin. Narrow Gap Semiconductors 2005, ed. by Kono \& Leotin [Inst. Phys. Conf. Series, N 187 (Taylor \& Franics, 2005) p. 360]
  9. D.Fekete, H. Dery, A. Rudra, E. Kapon. J. Appl. Phys., 99 (3), 034 304 (2006)
  10. J.F. Chen, R.S. Hsiao, Y.P. Chen, J.S. Wang, J.Y. Chi. Appl. Phys. Lett., 87 (14), 141 911 (2005)
  11. A. Passaseo, R. Rinaldi, M. Longo, S. Antonaci, A.L. Convertino, R. Cingolani, A. Taurino, M. Catalono. J. Appl. Phys., 89 (8), 4341 (2001)
  12. В.М. Устинов. ФТП, 38 (8), 963 (2004)
  13. A.A. El-Emawy, S. Birudavolu, P.S. Wong, Y.-B. Jiang, H. Xu, S. Huang, D.L. Huffaker. J. Appl. Phys., 93 (9), 3529 (2003)
  14. S.J. Lee, S.K. Noh, K.-S. Lee, J.W. Choe. Sol. St. Commun., 132, 115 (2004)
  15. Д.С. Сизов, М.В. Максимов, А.Ф. Цацульников, Н.А. Черкашин, Н.В. Крыжановская, А.Б. Жуков, Н.А. Малеев, С.С. Михрин, А.П. Васильев, Р. Селин, В.М. Устинов, Н.Н. Леденцов, Д. Бимберг, Ж.И. Алферов. ФТП, 36 (9), 1097 (2002)
  16. N. Nuntawong, S. Huang, Y.B. Jiang, C.P. Hains, D.L. Huffaker. Appl. Phys. Lett., 87 (11), 113 105 (2005)
  17. I.N. Kaiander, R.L. Sellin, T. Kettler, N.N. Ledentsov, D. Bimberg, N.D. Zakharov, P. Werner. Appl. Phys. Lett., 84 (16), 2992 (2004)
  18. G. Saint-Girons, G. Patriarche, L. Largeau, J. Coelho, A. Mereuta, J.M. Gerard, I. Sagnes. J. Cryst. Growth, 235, 89 (2002)
  19. A. Lenz, H. Eisele, R. Timm, S.K. Becker, R.L. Sellin, U.W. Pohl, D. Bimberg, M. Dahne. Appl. Phys. Lett., 85 (17), 3848 (2004)
  20. В.И. Шашкин, В.М. Данильцев, М.Н. Дроздов, Ю.Н. Дроздов, Д.М. Гапонова, О.И. Хрыкин, А.В. Мурель, Н.В. Востоков, Taek Kim, Yong-Jo Park. ФТП, 40 (4), 455 (2006)
  21. V.I. Shashkin, V.M. Daniltsev, Yu.N. Drozdov, O.I. Khrykin, A.V. Murel, N.V. Vostokov. Proc. EW MOVPE VIII (Prague, 1999) p. 159
  22. G. Costantini, A. Rastelli, C. Manzano, P. Acosta-Diaz, R. Songmuang, G. Katsaros, O.G. Schmidt, K. Kern. Phys. Rev. Lett., 96 (22), 226 106 (2006)
  23. S.J. Lee, J.O. Kim, S.K. Noh, J.W. Choe, K.-S. Lee. J. Cryst. Growth, 284, 39 (2005)
  24. I.A. Karpovich, N.V. Baidus, B.N. Zvonkov, S.V. Morozov, D.O. Filatov, A.V. Zdoroveishev. Nanotechnology, 12, 425 (2001)
  25. H. Zhu, Z. Wang, H. Wang, I. Cui, S. Feng. J. Cryst. Growth, 197, 372 (1999)
  26. H. Lim, W. Zhang, S. Tsao, T. Sills, J. Szafraniec, K. Mi, B. Movaghar, M. Razeghi. Phys. Rev. B, 72, 085 332 (2005)
  27. K. Drozdowicz-Tomsiaa, E.M. Goldys, Lan Fu, C. Jagadish. Appl. Phys. Lett., 89 (11), 113 510 (2006)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme