Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Образование доменов при синтаксическом срастании политипов карбида кремния

Авров-=SUP=--=/SUP=- Д.Д.¹, Дорожкин С.И.¹, Лебедев А.О.², Таиров Ю.М.¹

¹Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия St. Petersburg State Electrotechnical University “LETI", St. Petersburg, Russia

St. Petersburg State Electrotechnical University “LETI", St. Petersburg, Russia

²Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 18 апреля 2007 г.

Выставление онлайн: 19 ноября 2007 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Представлен алгоритм поиска доменной структуры, возникающей в растущем монокристалле карбида кремния при появлении синтаксических включений. Проанализированы реально наблюдавшиеся кристаллические сростки. PACS: 61.72.Bb, 61.72.Dd, 61.72.Mm, 81.05.Hd, 81.10.Bk

В.В. Лучинин, Ю.М. Таиров. Петербургский журн. электроники, 3, 53 (1996)
А. Верма, П. Кришна. Полиморфизм и политипизм в кристаллах (М., Мир, 1969)
J.A. Lely. Ber.Deut. Ceram. Ges., 32. 229 (1955)
D. Siche, H.-J. Rost, J. Doerschel, D. Schulz, J. Wollweber. J. Cryst. Growth, 237--239, 1187 (2002)
J.F. Kelly, G.R. Fisher, P. Barnes. Mater. Res. Bull., 40, 249 (2005)
R.C. Pond. J. Cryst. Growth, 79, 946 (1986)
А.Н. Ефимов. Кристаллография, 42, 509 (1997)
A.N. Efimov, A.O. Lebedev., A.M. Tsaregorodtsev. J. Appl. Cryst., 31, 461 (1998)
Г. Корн, Т. Корн. Справочник по математике (М., Наука, 1984)
А.В. Шубников, В.А. Копцик. Симметрия в науке и искусстве (М., Наука, 1972)
W. Bollmann. Crystal Defects and Crystalline Interfaces (N.Y., Springer Verlag, 1970)
Е.Б. Гасилова. Тр. ин-та кристаллографии, 12, 41 (1956)
А.О. Лебедев. Завод. лаб.: диагностика материалов, 3, 16 (1998)
H.-J. Rost, M. Schmidbauer, D. Siche, R.J. Fornari. Cryst. Growth, 290, 137 (2006)
D. Nakamura, I. Gunjishima, S. Yamaguchi, T. Ito, A. Okamoto, H. Kondo, S. Onda, K. Takatori. Nature, 430, 1009 (2004)
E.K. Sanchez, J.Q. Liu, M. De Graef, M. Skowronski, W.M. Vetter, M. Dudley. J. Appl. Phys., 91, 1143 (2002)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель