"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Особенности оптических и фотоэлектрических свойств тонких пленок CuIn3Se5, синтезированных методом лазерного напыления
Борисов Е.1, Верцимаха Я.2, Луцик П.1, Тверьянович А.1, Тверьянович Ю.1
1НИИ лазерных исследований Санкт-Петербургского государственного университета, Санкт-Петербург, Россия
2Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 22 марта 2007 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2007 г.

Исследованы оптические и фотовольтаические свойства пленок, полученных лазерным напылением CuIn3Se5, а также влияние на них температурных режимов синтеза. Состав пленок, напыленных на подложки при комнатной температуре, соответствовал составу мишени, при этом пленки были получены в стеклообразном состоянии. При напылении пленок на подогреваемые подложки увеличение температуры приводило к повышению доли кристаллической фазы и уменьшению относительной доли Se в пленке. После отжига стеклообразных пленок CuIn3Se5 в вакууме при температуре до 700 K они становились поликристаллическими, состав пленок при этом не изменялся. Фоточувствительность пленок максимальна при температуре отжига 510-600 K. PACS: 73.50.Pz, 81.15.Fg
  1. A. Goetzberger, Ch. Hebling, H.W. Schock. Mater. Sci. Engin. R, 40, 1 (2003)
  2. K. Ramanathan, G. Teeter, J.C. Keane, R. Noufi. Thin Sol. Films, 480--481, 499 (2005)
  3. И.А. Акимов, А.М. Мешков. Изв. АН СССР, 162, 306 (1965)
  4. C. Rincon, S.M. Wasim, G. Marin, A. Rincon, P. Bocaranda, C. Torres, G. Bacquet, G. Sanchez Perez. Mater. Lett., 41, 222 (1999)
  5. Л.Н. Дмитрюк, М.А. Зуев, Ю.В. Крученко, М.А. Степанова. Оптоэлектрон. и полупроводн. техн., 23, 78 (1992)
  6. N.L. Dmitruk, Yu.V. Kryuchenko, V.G. Litovchenko, V.G. Popov, M.A. Stepanova. Phys. Status Solidi A, 124, 183 (1991)
  7. А.Б. Вербицкий, Я.И. Верцимаха, П.Н. Луцик, С.Л. Студзинский, С. Березнев, Ю. Койс. ФТП, 40, 202 (2006)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.