Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Характеристики туннелирования и ударной ионизации в тонкопленочных электролюминесцентных структурах на основе ZnS : Mn

Гурин Н.Т.¹, Сабитов О.Ю.¹, Афанасьев А.М.¹

¹Ульяновский государственный университет, Ульяновск, Россия Ulyanovsk State University, Ulyanovsk, Russia

Поступила в редакцию: 11 декабря 2006 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 2007 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Предложена методика определения характеристик туннелирования и ударной ионизации в пленочных электролюминесцентных излучателях, позволяющая определить зависимости от времени толщины слоя объемного заряда в прианодной области и длины области ударной ионизации, уточнить зависимости от времени поля в области потенциального барьера на катодной границе раздела, максимальной глубины залегания поверхностных состояний, с которых осуществляется туннелирование электронов, минимальной толщины барьера, вероятности туннелирования электронов, а также коэффициента ударной ионизации глубоких центров, обусловленных собственными дефектами структуры слоя люминофора. PACS: 73.40.Gk, 73.40.Qv, 78.60.Fi

Р. Мах. Поликристаллические полупроводники. Физические свойства и применения [Пер. с англ. под ред. Г. Харбеке] (М., Мир, 1989) с. 264
Электролюминесцентные источники света, под ред. И.К. Верещагина (М., Энергоатомиздат, 1990)
Н.Т. Гурин, Д.В. Рябов, О.Ю. Сабитов, А.М. Афанасьев. Письма ЖТФ, 31 (3), 79 (2005)
Н.Т. Гурин, А.М. Афанасьев, О.Ю. Сабитов, Д.В. Рябов. ФТП, 76 (8), 949 (2006)
A. Zeinert, C. Barthou, P. Benalloul, J. Benoit. Jap. J. Appl. Phys., 35, Pt. 1. 3909 (1996)
A. Zeinert, C. Barthou, P. Benalloul, J. Benoit. Semicond. Sci. Technol., 12, 1479 (1997)
J.C. Hitt, P.D. Keir, F. Wager. J. Appl. Phys., 83 (2), 1141 (1998)
Н.Т. Гурин, О.Ю. Сабитов. ЖТФ, 76 (8), 50 (2006)
Н.Т. Гурин, А.В. Шляпин, О.Ю. Сабитов. ЖТФ, 72 (2), 74 (2002)
E. Bringuier. J. Appl. Phys., 66 (3), 1314 (1989)
Н.Т. Гурин, А.В. Шляпин, О.Ю. Сабитов. ЖТФ, 73 (4), 100 (2003)
K.A. Neyts, P.De Visgehere. J. Appl. Phys., 68 (8), 4163 (1990)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель