Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Исследование спектров фотолюминесценции GaMnAs, полученного методом низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксии
Парчинский П.Б.1, Бобылев А.Ю.1, Власов С.И.1, Чен Ю Фу2, Ким Дожин2
1Национальный университет Узбекистана (НУУз), Ташкент, Узбекистан 
2Чунгнамский национальный университет, 305-764 Дэджон, Республика Корея
2Чунгнамский национальный университет, 305-764 Дэджон, Республика Корея
Поступила в редакцию: 10 января 2007 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2007 г.
В температурном интервале 4-150 K исследованы спектры люминесценции слоев GaMnAs, полученных методом низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксии. В спектрах слоев GaMnAs, содержащих кластеры MnAs, обнаружены локальные максимумы при энергиях 1.36 и 1.33 эВ. Показано, что величина красного сдвига линии экситонной люминесценции зависит от содержания Mn в полупроводниковой матрице. PACS: 71.55.-i, 75.50.Pp, 78.55.Hx
- H. Ohno. Science, 128, 951 (1998)
- Th. Hartmann, M. Lampalzer, P.J. Klar, W. Stolz, W. Heimbrodt, H.-A. Krug von Nidda, A. Loidl, L. Svistov. Physica E, 13, 572 (2002)
- M. Tanaka. J. Cryst. Growth, 278, 27 (2005)
- A. Shen, F. Matsukura, S.P. Guo, Y. Sugawara, H. Ohno, M. Tani, H. Abe, H.C. Liu. J. Cryst. Growth, 201/202, 679 (1999)
- T. Hayashi, M. Tanaka, T. Nishinaga, H. Shimada, H. Tsuchiya, Y. Otuka. J. Cryst. Growth, 175/176, 1063 (1997)
- I.T. Yoon, T.W. Kang, K.H. Kim, D.J. Kim. J. Appl. Phys., 95, 3607 (2004)
- K.H. Kim, J.H. Park, B.D. Kim, C.S. Kim, D.J. Kim, H.J. Kim, Y.E. Ihm. Metals and Materials, 8, 177 (2002)
- Th. Hartmann, M. Lampalerzer, W. Stolz, K. Megges, J. Lorberth, P.J. Klar, W. Heimbrodt. Thin Sol. Films, 364, 209 (2000)
- K. Wagenhuber, H.-P. Traintz, M. Reiwald, W. Wegscheder. Appl. Phys. Lett., 85, 1190 (2004)
- К.С. Журавлев, Т.С. Шамирзаев, Н.А. Якушева. ФТП, 32, 791 (1998)
- К.С. Журавлев, Т.С. Шамирзаев, Н.А. Якушева. ФТП, 32, 50 (1998)
- R. Moria, H. Munekata. J. Appl. Phys., 93, 4603 (2003)
- Yongmin Kim. Current Appl. Phys., 4, 415 (2004)
- Ю.В. Васильева, Ю.А. Данилов, А.А. Ершов, Б.Н. Звонков, Е.А. Ускова, А.Б. Давыдов, Б.А. Аронзон, С.В. Гуденко, В.В. Рыльков, А.Б. Грановский, Е.А. Ганьшина, Н.С. Перов, А.Н. Виноградов. ФТП, 39, 87 (2005)
- P. Parchinskiy, F.C. Yu, C.X. Gao, S.W. Lee, D.J. Kim, H.J. Kim, Y.E. Ihm. J. Magn. Magn. Matter., 290/291, 1408 (2005)
- P.B. Parchinskiy, F.C. Yu, S.Y. Jeong, C. Gao, D. Kim, H. Kim, Y.E. Ihm. Appl. Surf. Sci., 253 (2), 515 (2006)
- K. Kuriyama, H. Takahashi, Y. Irie, T. Kawakubo. J. Appl. Phys., 70, 1051 (1991)
- С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 1 [S.M. Sze. Physics of Semiconductors Devices (John Wiley \& Sons, N. Y., 1981)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
