"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Неравновесная заселенность носителей в структурах с глубокими квантовыми точками InGaN
Сизов Д.С.1, Заварин Е.Е.1, Леденцов Н.Н.1, Лундин В.В.1, Мусихин Ю.Г.1, Сизов В.С.1, Сурис Р.А.1, Цацульников А.Ф.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 5 июня 2006 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2007 г.

На примере квантовых точек InGaN теоретически и экспериментально исследовались электронно-оптические свойства ансамблей квантовых точек с различной энергией активации с уровня основного состояния в область непрерывного спектра. Показано, что в зависимости от величины этой энергии возможна как квазиравновесная статистика носителей на уровнях квантовых точек, так и неравновесная статистика при комнатной температуре. В последнем случае положение максимума излучения определяется величиной демаракационного перехода: квантовые точки с энергией перехода выше этой велчины обладают квазиравновесной заселенностью носителей, а квантовые точки с энергией ниже этой величины --- неравновесной. В теоретическом рассмотрении использовалась модель, основанная на скоростных уравнениях. Ключевыми параметрами, определяющими статистику, являются параметры термического выброса носителей, экспоненциально зависящие от энергии активации. В работе экспериментально показано, что использование стимулированного фазового распада позволяет существенно повысить энергию активации. При этом время термической активации оказывается больше времени рекомбинаци электронно-дырочной пары, что подавляет перераспределение носителей между квантовыми точками и приводит к неравновесной заселенности. Подробно исследовано влияние неравновесной заселенности на люминесцентные свойства структур с квантовыми точками. PACS: 73.21.La, 73.67.Kv, 78.60.Fi, 78.68.Hc, 81.07.Ta
  1. D. Bimberg, M. Grundmann, N.N. Ledentsov. Quantum Dot Heterostructures (Wiley, 1999)
  2. С.С. Михрин, А.Е. Жуков, А.Р. Ковш, Н.А. Малеев, А.П. Васильев, Е.С. Семенова, В.М. Устинов, М.М. Кулагина, Е.В. Никитина, И.П. Сошников, Ю.М. Шерняков, Д.А. Лившиц, Н.В. Крыжановская, Д.С. Сизов, М.В. Максимов, А.Ф. Цацульников, Н.Н. Леденцов, D. Bimberg, Ж.И. Алфёров. ФТП, 36 (11), 1400 (2002)
  3. C. Santori, D. Fattal, J. Vuckovic, G.S. Solomon, Y. Yamamoto. Nature, 419 (10), 594 (2002)
  4. Y. Arakawa, S. Kako. Proc. 6th Int. Conf. on Nitride Semiconductors --- ICNS6 (Bremen, Germany, Aug. 28-Sept. 2, 2005) Th-OP5-1
  5. S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, S. Nagahara. Jpn. J. Appl. Phys., 34, L797 (1995)
  6. T. Mukai, M. Yamada, S. Nakamura. Jpn. J. Appl. Phys., 38, 3976 (1999)
  7. P.N. Brunkov, A. Patane, A. Levin, L. Eaves, P.C. Main, Yu.G. Musikhin, B.V. Volovik, A.E. Zhukov, V.M. Ustinov, S.G. Konnikov. Phys. Rev. B, 65, 085 326 (2002)
  8. L.V. Asryan, R.A. Suris. Semicond. Sci. Technol., 11, 554 (1996)
  9. М.В. Максимов, Д.С. Сизов, А.Г. Макаров, И.Н. Каяндер, Л.В. Асрян, А.Е. Жуков, В.М. Устинов, Н.А. Черкашин, Н.А. Берт, Н.Н. Леденцов. D. Bimberg. ФТП, 38 (10), 1245 (2004)
  10. M.S. Jeong, J.Y. Rim, Y.-W. Kim, J.O. White, E.-K. Suh, C.-H. Hong, H.J. Lee. Appl. Phys. Lett., 79 (7), 976 (2001)
  11. M. Takeguchi, M.R. McCartney, D.J. Smith. Appl. Phys, Lett., 84 (12), 2103 (2004)
  12. D.S. Sizov, V.S. Sizov, G.E. Onushkin, V.V. Lundin, E.E. Zavarin, A.F. Tsatsul'nikov, N.N. Ledentsov. Proc. 13th Int. Conf. " Nanostrucrures: Physics and Technology" (St. Petersburg, June 20-25, 2005) c. 294
  13. D.S. Sizov, V.S. Sizov, V.V. Lundin, E.E. Zavarin, A.F. Tsatsul'nikov, A.S. Vlasov, N.N. Ledentsov, A.M. Mintairov, K. Sun, J. Merz. Proc. 13th Int. Conf. " Nanostrucrures: Physics and Technology" (St. Petersburg, June 20-25, 2005) c. 296
  14. I.L. Krestnikov, N.N. Ledentsov, A. Hoffmann, D. Bimberg, A.V. Sakharov, V.V. Lundin, A.F. Tsatsul'nikov, A.S. Usikov, Zh.I. Alferov, Yu.G. Musikhin, D. Gerthsen. Phys. Rev. B, 66, 155 310 (2002)
  15. D.S. Sizov, V.S. Sizov, G.E. Onushkin, V.V. Lundin, E.E. Zavarin, A.F. Tsatsul'nikov, A.M. Araktcheeva, N.N. Ledentsov. Proc. Int. Conf. Nanomeeting" (Minsk, Belarus, May 24-27, 2005)
  16. В.С. Сизов, Д.С. Сизов, Г.А. Михайловский, Е.Е. Заварин, В.В. Лундин, А.Ф. Цацульников, Н.Н. Леденцов. ФТП, 40 (5), 589 (2006)
  17. L.V. Asryan, R.A. Suris. IEEE J. Select. Topics Quant. Electron., 3 (2), 148 (1997)
  18. S.M. Sze. Physics of Semiconductor Devices, 2nd edn (N. Y., Wiley, 1981)
  19. M.V. Maximov, A.F. Tsatsul'nikov, B.V. Bolovik, D.S. Sizov, Yu.M. Shernyakov, I.N. Kaiander, A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, N.A. Maleev, S.S. Mikhrin, V.M. Ustinov, Yu.G. Musikhin, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, R. Heitz, V.A. Shchukin, N.N. Ledentsov, D. Bimberg. Phys. Rev. B, 62 (42), 16 671 (2000)
  20. S.-H. Wei, A. Zunger. Appl. Phys. Lett., 72 (16), 2011 (1998)
  21. P.G. Eliseev. J. Appl. Phys., 93, 5404 (2003)
  22. Д.С. Сизов, В.С. Сизов, Е.Е. Заварин, В.В. Лундин, А.В. Фомин, А.Ф. Цацульников, Н.Н. Леденцов. ФТП, 39 (2), 264 (2005)
  23. Д.С. Сизов, В.С. Сизов, В.В. Лундин, А.Ф. Цацульников, Е.Е. Заварин, Н.Н. Леденцов. ФТП, 39 (11), 1350 (2005)
  24. Yu.G. Musikhin, D. Gerthsen, D.A. Bedarev, N.A. Bert, W.V. Lundin, A.F. Tsatsul'nikov, A.V. Sakharov, A.S. Usikov, Zh.I. Alferov, I.L. Krestnikov, N.N. Ledentsov, A. Hoffmann, D. Bimberg. Appl. Phys. Lett., 80 (12) 2099 (2002)
  25. H.C. Casey, M.B. Panish. Heterostructure lasers (Academic London, 1978)
  26. Ш.М. Коган. ФТП, 11, 1158 (1977)
  27. К.А. Булашевич, С.Ю. Карпов, Р.А. Сурис. Матер. III Всеросс. конф. " Нитриды галлия, индия и алюминия --- структуры и приборы" (Москва, июнь 4--7, 2004) с. 88

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.