Вышедшие номера
Аномальное спиновое расщепление электронов в InAs в условиях инжекционной накачки
Терентьев Я.В.1, Люблинская О.Г.1, Торопов А.А.1, Соловьев В.А.1, Сорокин С.В.1, Усикова А.А.1, Иванов С.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 9 октября 2006 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2007 г.

Экспериментально исследована электро- и фотолюминесценция объемного InAs n-типа с высокой концентрацией доноров (Nd~ 5· 1016 см-3) в магнитном поле в геометрии Фарадея. В условиях электрической инжекции энергия пика электролюминесценции превышает ширину запрещенной зоны Eg. При приложении магнитного поля энергия пика становится меньше Eg, и он расщепляется на две циркулярно-поляризованные компоненты. Расщепление зависит от тока инжекции и в средних магнитных полях (около 2 T) может значительно превышать расчетное значение, соответствующее известной величине g-фактора электронов в InAs. Эффект объясняется разной степенью магнитного вымораживания для электронов с разной ориентацией спина. Существование максимума в зависимости степени поляризации фотолюминесценции от магнитного поля, а также поведение ширины линии фотолюминесценции подтверждают предложенную модель. PACS: 71.70.Ej; 78.55.Cr; 78.60.Fi