Обнаружена белая электролюминесценция структур ZnO/GaN, полученных методом лазерного напыления ZnO : In на структуры GaN : Mg/GaN, выращенные методом MOCVD на подложке Al₂O₃. Белый свет получался в результате сложения двух наиболее интенсивных спектральных линий, узкой синей и широкой желтой (длины волн в максимумах 440 и 550 нм соответственно). Соотношение интенсивностей разных спектральных линий электролюминесценции гетероструктур ZnO/GaN/Al₂O₃ зависело от качества пленки ZnO и тока накачки. Белая электролюминесценция обусловлена высокой плотностью структурных дефектов на интерфейсе n-ZnO/p-GaN. Построена энергетическая диаграмма гетероструктуры n-ZnO/p-GaN/n-GaN и предложено качественное объяснение наблюдаемой электролюминесценции. PACS: 71.20.Nr, 71.55.-i, 73.40.Kp, 73.40.Lq, 78.60.-b, 78.60.Fi

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.