Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Низкотемпературная перекристаллизация нанометровых слоев Ge на ZnSe

Супрун С.П.¹, Федосенко Е.В.¹

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Поступила в редакцию: 26 сентября 2006 г.

Выставление онлайн: 19 апреля 2007 г.

PDF версия

Приведены результаты наблюдения в динамике методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии процесса низкотемпературной перекристаллизации аморфного слоя Ge, осажденного при комнатной температуре на пленку ZnSe. Показано, что экспериментально измеренные сдвиги остовного уровня германия 3d согласуются с изменениями кристаллической структуры слоя, наблюдаемыми методом дифракции быстрых электронов на отражение, и могут быть объяснены последовательными изменениями Ge на наноуровне с ростом температуры. PACS: 64.70.Nd, 68.35.-p, 68.37.Xy, 79.60.Bm, 81.07.Ta, 81.40.Ef, 81.65.-b

D. Schmeib er, O. Bohme, A. Yfantis, T. Heller, D.R. Batchelor, I. Lundstrom, A.L. Spetz. Phys. Rev. Lett., 83, 380 (1999)
L.K. Pan, C.Q. Sun, B.K. Tay, T.P. Chen, S. Li. J. Phys. Chem. B, 106, 11 725 (2002)
A. Howard, D.N.S. Clark, C.E.J. Mitchell, R.G. Egdell, V.R. Dhanak. Surf. Sci., 518, 210 (2002)
J. Nanda, B.A. Kuruvilla, D.D. Sarma. Phys. Rev. B, 59, 7473 (1999)
Taizo Ohgi, Daisuke Fujita. Phys. Rev. B, 66, 115 410 (2002)
G.A. Breaux, R.C. Benirschke, T. Sugai, B.S. Kinnear, M.F. Jarrold. Phys. Rev. Lett., 91, 215 508 (2003)
A.A. Shvartsburg, M.F. Jarrold. Phys. Rev. Lett., 85, 2530 (2000)
S. Chacko, K. Joshi, D.G. Kanhere. Phys. Rev. Lett., 92, 135 506 (2004)
Z. Zhang, M. Zhao, Q. Jiang. Semicond. Sci. Technol., 16, L33 (2001)
C.Q. Sun, C.M. Li, H.L. Bai, E.Y. Jiang. Nanotech., 16, 1290 (2005)
Chang Q. Sun. Phys. Rev. B, 69, 045 105 (2004)
И.Г. Неизвестный, С.П. Супрун, А.Б. Талочкин, В.Н. Шумский, А.В. Ефанов. ФТП, 35, 1135 (2001)
I.G. Neizvestny, S.P. Suprun, V.N. Shumsky, A.B. Talochkin, E.V. Fedosenko, T.M. Burbaev, V.A. Kurbatov. Nanotech., 12, 437 (2001)
А.Б. Талочкин, С.П. Супрун, А.В. Ефанов, И.Г. Кожемяко, В.Н. Шумский. Письма ЖЭТФ, 73, 297 (2001)
A.B. Talochkin, S.A. Teys, S.P. Suprun. Phys. Rev. B, 72, 115 416 (2005)
И.Г. Неизвестный, С.П. Супрун, В.Н. Шумский. ФТП, 39, 100 (2005)
Chang Q. Sun, T.P. Chen, B.K. Tay, S. Li, H. Huang, Y.B. Zhang, L.K. Pan, S.P. Lau, X.W. Sun. J. Phys. D: Appl. Phys., 34, 3470 (2001)
Chang Q. Sun. J. Phys.: Condens. Matter., 11, 4801 (1999)
A.N. Goldstein. Appl. Phys. A, 62, 33 (1996)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель