Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Низкотемпературная перекристаллизация нанометровых слоев Ge на ZnSe
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия 
Поступила в редакцию: 26 сентября 2006 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2007 г.
Приведены результаты наблюдения в динамике методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии процесса низкотемпературной перекристаллизации аморфного слоя Ge, осажденного при комнатной температуре на пленку ZnSe. Показано, что экспериментально измеренные сдвиги остовного уровня германия 3d согласуются с изменениями кристаллической структуры слоя, наблюдаемыми методом дифракции быстрых электронов на отражение, и могут быть объяснены последовательными изменениями Ge на наноуровне с ростом температуры. PACS: 64.70.Nd, 68.35.-p, 68.37.Xy, 79.60.Bm, 81.07.Ta, 81.40.Ef, 81.65.-b
- D. Schmeib er, O. Bohme, A. Yfantis, T. Heller, D.R. Batchelor, I. Lundstrom, A.L. Spetz. Phys. Rev. Lett., 83, 380 (1999)
- L.K. Pan, C.Q. Sun, B.K. Tay, T.P. Chen, S. Li. J. Phys. Chem. B, 106, 11 725 (2002)
- A. Howard, D.N.S. Clark, C.E.J. Mitchell, R.G. Egdell, V.R. Dhanak. Surf. Sci., 518, 210 (2002)
- J. Nanda, B.A. Kuruvilla, D.D. Sarma. Phys. Rev. B, 59, 7473 (1999)
- Taizo Ohgi, Daisuke Fujita. Phys. Rev. B, 66, 115 410 (2002)
- G.A. Breaux, R.C. Benirschke, T. Sugai, B.S. Kinnear, M.F. Jarrold. Phys. Rev. Lett., 91, 215 508 (2003)
- A.A. Shvartsburg, M.F. Jarrold. Phys. Rev. Lett., 85, 2530 (2000)
- S. Chacko, K. Joshi, D.G. Kanhere. Phys. Rev. Lett., 92, 135 506 (2004)
- Z. Zhang, M. Zhao, Q. Jiang. Semicond. Sci. Technol., 16, L33 (2001)
- C.Q. Sun, C.M. Li, H.L. Bai, E.Y. Jiang. Nanotech., 16, 1290 (2005)
- Chang Q. Sun. Phys. Rev. B, 69, 045 105 (2004)
- И.Г. Неизвестный, С.П. Супрун, А.Б. Талочкин, В.Н. Шумский, А.В. Ефанов. ФТП, 35, 1135 (2001)
- I.G. Neizvestny, S.P. Suprun, V.N. Shumsky, A.B. Talochkin, E.V. Fedosenko, T.M. Burbaev, V.A. Kurbatov. Nanotech., 12, 437 (2001)
- А.Б. Талочкин, С.П. Супрун, А.В. Ефанов, И.Г. Кожемяко, В.Н. Шумский. Письма ЖЭТФ, 73, 297 (2001)
- A.B. Talochkin, S.A. Teys, S.P. Suprun. Phys. Rev. B, 72, 115 416 (2005)
- И.Г. Неизвестный, С.П. Супрун, В.Н. Шумский. ФТП, 39, 100 (2005)
- Chang Q. Sun, T.P. Chen, B.K. Tay, S. Li, H. Huang, Y.B. Zhang, L.K. Pan, S.P. Lau, X.W. Sun. J. Phys. D: Appl. Phys., 34, 3470 (2001)
- Chang Q. Sun. J. Phys.: Condens. Matter., 11, 4801 (1999)
- A.N. Goldstein. Appl. Phys. A, 62, 33 (1996)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
