"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Mathematical simulation of distribution of minority charge carriers, generated in multy-layer semiconducting structure by a wide electron beam1
Burylova I.V.1, Petrov V.I.2, Snopova M.G.3, Stepovich M.A.1
1Tsiolkovsky Kaluga State Pedagogical University, Kaluga, Russia
2Lomonosov Moscow State University, Moscow, Russia
3The Kaluga Branch of Bauman Moscow State Technical University, Kaluga, Russia
Поступила в редакцию: 12 сентября 2006 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2007 г.

The method of calculation of distributions of minority charge carriers generated in the two-layer semiconductor by a wide electron beam with energies 5-30 keV based on use of model of independent sources is described. PACS: 73.40.-c, 68.37.Hk
  1. D.B. Wittry, D.F. Kyser. J. Appl. Phys., 38 (1), 375 (1967)
  2. T.S. Rao-Sahib, D.B. Wittry. J. Appl. Phys., 40 (9), 3745 (1969)
  3. D.F. Kyser, D.B. Wittry. Proc. IEEE, 55 (3), 733 (1967)
  4. V.Ja. Arsenin. Mathematical Physics. Fundamental Equations and Special Functions (Moscow, Nauka, 1966) (in Russian)
  5. W. Van Roosbroeck. J. Appl. Phys., 26 (1), 380 (1955)
  6. N.N. Mikheev, J.G. Dorogova. Electron. Techics. Mater., No 4, 44 (1988)
  7. N.N. Mikheev, V.I. Petrov, M.A. Stepovich. Bull. Acad. Sci. of the USSR, ser. phys., 55 (8), 1 (1991)
  8. J.F. Bresse. Mater. Sci. Eng. B, 24 (1), 199 (1996)
  9. A.A. Belov, V.I. Petrov, M.A. Stepovich. Bull. Rus. Acad. Sci., ser. phys., 66 (9), 1317 (2002)
  10. M.A. Stepovich, M.G. Snopova, A.G. Khokhlov. Proc. SPIE, 5398, 159 (2004)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.