"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фотоэлектрические свойства структур In/In2Se3
Ильчук Г.А.1, Кусьнэж В.В.1, Петрусь Р.Ю.1, Рудь В.Ю.2, Рудь Ю.В.3, Украинец В.О.1
1Национальный университет "Львивська политехника", Львов, Украина
2Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 27 апреля 2006 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2006 г.

Методом направленной кристаллизации расплава, близкого по составу к стехиометрическому, а также парофазным методом выращены кристаллы In2Se3 гексагональной модификации, и впервые созданы барьеры Шоттки In/n-In2Se3, фоточувствительные в широкой области энергий падающих фотонов 1-3.8 эВ при 300 K. Изучен характер межзонного фотоактивного поглощения, оценены высота энергетического барьера и энергии межзонных оптических переходов. Сделан вывод о возможностях применения выращенных кристаллов в широкополосных фотопреобразователях оптического излучения. PACS: 71.20.Nr, 73.40.Ns, 73.50.Pz
  1. Н.А. Горюнова. Химия алмазоподобных полупроводников (Л., ЛГУ, 1963)
  2. И.В. Боднарь, В.Ф. Гременок, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ФТП, 33, 805 (1999)
  3. И.В. Боднарь, Е.Ф. Дмитриева, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ЖТФ, 75 (3), 84 (2005)
  4. Физико-химические свойства полупроводниковых веществ, под ред. А.В. Новоселовой, В.Б. Лазарева (М., Наука, 1979)
  5. G. Martin, R. Marques, R. Guevara. Jap. J. Appl. Phys., 39 (1), 44 (2000)
  6. S.B. Tsang, S.H. Wei, A. Zunger, H. Katayama-Yoshida. Phys. Rev. B, 57, 9642 (1998)
  7. S.H. Wei, S.B. Tsang, A. Zunger. Appl. Phys. Lett., 72, 3199 (1998)
  8. Д. Блекмор. Статистика электронов в полупроводниках (М., Мир, 1964)
  9. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984)
  10. А. Милнс, Д. Фойхт. Гетеропереходы и переходы металл--полупроводник (М., Мир, 1975)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.