"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Барьеры Шоттки на основе пленок n-In2S3, полученных лазерным испарением
Боднарь И.В.1, Полубок В.А.1, Гременок В.Ф.2, Рудь В.Ю.3, Рудь Ю.В.4
1Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
2Объединенный институт физики твердого тела и полупроводников Национальной академии наук Белоруссии, Минск, Белоруссия
3Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
4Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 22 марта 2006 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2006 г.

Методом импульсного лазерного испарения исходных мишеней с последующим осаждением на стеклянные подложки при температурах 480-720 K выращены гомогенные тонкие (0.6-1.5 мкм) пленки n-In2S3, на которых впервые созданы барьеры Шоттки In/n-In2S3. Изучена температурная зависимость удельного сопротивления пленок n-типа проводимости и определена энергия активации донорных центров в них. Исследованы спектральные зависимости квантовой эффективности фотопреобразования eta(homega) полученных барьеров. Из анализа спектральных зависимостей eta(homega) сделан вывод о характере межзонных переходов и оценена ширина запрещенной зоны в пленках In2S3. Сделан вывод о возможностях применения тонких пленок In2S3 в широкополосных фотопреобразователях оптического излучения. PACS: 78.20.-e
  1. R. Ramanathan, M.A. Contreras, C.A. Perkins et al. Prog. Photovolt. Res. Appl., 11, 225 (2003)
  2. D. Hariskos, S. Spiering, M. Povalla. Thin Sol. Films, 480 (1), 99 (2005)
  3. A. Jasenek, U. Rau. J. Appl. Phys., 90 (8), 650 (2001)
  4. N. Neghavi, R. Henriquez, V. Laptev et al. Appl. Surf. Sci., 222 (1), 65 (2004)
  5. C. Cuillen, T. Garcia, Y. Herrero et al. Thin Sol. Films, 112-115 (7), 451 (2004)
  6. A.A. El Shazlyy, D. Abd Elhadyyz, H.S. Metwally, M.A.M. Seyam. J. Phys.: Condens. Matter, 10 (26), 5943 (1998)
  7. Физико-химические свойства полупроводниковых веществ. Справочник, под ред. А.В. Новоселовой, В.Б. Лазарева (М., Наука, 1979)
  8. Н.Х. Абрикосов, В.Ф. Банкина, Л.В. Порецкая, Е.В. Скуднова, С.Н. Чижевская. Полупроводниковые халькогениды и сплавы на их основе (М., Наука, 1975)
  9. И.В. Боднарь, В.А. Полубок, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ФТП, 37 (11), 1346 (2003)
  10. Дж. Блекмор. Статистика электронов в полупроводниках (М., Мир, 1964)
  11. М. Борн, Э. Вольф. Основы оптики (М., Наука, 1970)
  12. Ю.И. Уханов. Оптические свойства полупроводников (М., Наука, 1977).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.