"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фотоэлектрические явления в барьерах Шоттки Cu(Al, In)/p-CuIn3Se5
Боднарь И.В.1, Рудь В.Ю.2, Рудь Ю.В.3
1Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
2Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 5 апреля 2006 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2006 г.

На кристаллах p-CuIn3Se5 созданы структуры и исследованы фотоэлектрические явления в барьерах Шоттки Cu/p-CuIn3Se5, Al/p-CuIn3Se5 и In/p-CuIn3Se5. Получены первые спектры квантовой эффективности фотопреобразования новых структур. Обсуждается характер межзонных переходов и определена ширина запрещенной зоны CuIn3Se5. Сделан вывод о возможностях применения кристаллов CuIn3Se5 при создании высокоэффективных широкополосных фотопреобразователей оптического излучения. PACS: 73.30.+y, 73.50.Pz, 84.60.Jt
  1. O. Lundberg, M. Edoff, L. Stolt. ISES Abstract Book. Solar World Congress (Goteborg, Sweden, 2003)
  2. Ж. Панков. Оптические процессы в полупроводниках (М., Мир, 1973)
  3. И.В. Боднарь, Т.Л. Кушнер, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, М.В. Якушев. ЖПС, 69, 520 (2002)
  4. И.В. Боднарь, Е.С. Дмитриева, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ЖТФ, 75, 84 (2005)
  5. G. Martin, R. Marques, R. Guevara. Jpn. J. Appl. Phys., 39, 44 (2000)
  6. Y.P. Wang, I. Shih, C.H. Champness. Thin Sol. Films, 361-362, 494 (2000)
  7. E. Hernandez. Cryst. Res. Technol., 33, 285 (1988)
  8. Г. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах (М., Мир, 1973)
  9. S.M. Sze. Physics of Semiconductor Devices (N. Y., Willey Interscience Publ., 1981)
  10. Copper Indium Diselenide for Photovoltaic Applications, by ed. T.J. Coutts, L.L. Kazmerski and S. Wagner (N. Y., Elsevier, 1986)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.