"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Особенности пиролиза молекул на эпитаксиальной поверхности при росте слоев Si1-xGex из гидридов в вакууме
Орлов Л.К.1, Ивин С.В.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 5 мая 2006 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2006 г.

В рамках кинетического приближения на основе данных ростового эксперимента рассмотрены особенности пиролиза молекул при росте пленок Si1-xGex из гидридов в вакууме. Для схемы распада моногидридов Si и Ge с доминирующей ролью в процессе пиролиза радикалов SiH2 и GeH2 изучен характер решений кинетической задачи в зависимости от значений параметров системы. Впервые показано, что в рассматриваемой системе могут существовать по крайней мере два типа решений, принципиально отличающихся друг от друга скоростью встраивания атомов в растущий слой и степенью заполнения поверхностных состояний продуктами пиролиза молекул. Тип решения, характерный для реального эксперимента, определен из условия сегрегационного накопления атомов Ge на поверхности роста пленки Si1-xGex. На основании проведенного численного анализа в зависимости от ростовой температуры получена оценка скорости распада моногидридов на ростовой поверхности и значений коэффициентов встраивания адатомов Si и Ge в кристалл. Для моносилана оценка характерного времени распада в условиях ростовых температур 450-700oC соответствует величине 3-4 с, для моногермана --- порядка 2 с. PACS: 68.35.-p, 82.30.Fi, 82.20.Wt
  1. D.W. Greve. Mater. Sci. Engin., B18, 22 (1993)
  2. B.S. Meyerson. Appl. Phys. Lett., 48, 797 (1986)
  3. H. Hirayama, T. Tatsumi, A. Ogura, N. Aizaki. Appl. Phys. Lett., 51, 2213 (1987)
  4. Le Thanh Vinh, V. Aubry-Fortuna, Y. Zheng, D. Bouchier, C. Guedj, G. Hincelin. Thin Sol. Films, 294, 59 (1997)
  5. K.J. Kim, M. Suemitsu, M. Yamanaka, N. Miyamoto. Appl. Phys. Lett., 62, 3461 (1993)
  6. S.Y. Park, J. D'Arcy-Gall, D. Gall, J.A.N.T. Soares, Y.W. Kim, H. Kim, P. Desjardins, J.E. Greene, S.G. Bishop. J. Appl. Phys., 91, 5716 (2002)
  7. A. Vittadini, A. Selloni. Phys. Rev. Lett., 75, 4756 (1995)
  8. R. Chelly, T. Angot, P. Louis, D. Bolmont, J.J. Koulmann. Appl. Surf. Sci., 115, 299 (1997)
  9. C. Mukherjee, H. Seitz, B. Schroder. Appl. Phys. Lett., 78, 3457 (2001)
  10. Л.К. Орлов, А.В. Потапов, С.В. Ивин. ЖТФ, 70 (6), 102 (2000)
  11. A. Santoni, J. Lancok, S. Loreti, I. Menicucci, C. Minarini, F. Fabbri, D. Della Sala. J. Cryst. Growth, 258, 272 (2003)
  12. Y. Pauleau, D. Tonneau. J. Appl. Phys., 91, 1553 (2002)
  13. H. Akazawa, Yu. Utsumi. J. Appl. Phys., 78, 2725 (1995)
  14. J.L. Rogers, P.S. Andry, W.J. Varhue, P. McGaughea, E. Adams, R. Kontra. Appl. Phys. Lett., 67, 971 (1995)
  15. A.V. Potapov, L.K. Orlov, S.V. Ivin. Thin Sol. Films, 336, 191 (1999)
  16. А.В. Потапов. Кристаллография, 49, 271 (2004)
  17. Л.К. Орлов, Т.Н. Смыслова. ФТП, 40, 45 (2006)
  18. S.M. Gates, C.M. Greenlief, D.B. Beach. J. Chem. Phys., 93, 7493 (1990)
  19. Hiroyuki Fujiwara, M. Kondo, A. Matsuda. J. Appl. Phys., 91, 4181 (2002)
  20. Y. Suda, N. Hosoya, D. Shiratori. J. Cryst. Growth, 237--239, 1404 (2002)
  21. T.R. Bramblett, Q. Lu, N.E. Lee, N. Taylor, M.A. Hasan, J.E. Greene. J. Appl. Phys., 77, 1504 (1995)
  22. D.J. Robbins, J.L. Glasper, A.G. Cullis, W.J. Leong. J. Appl. Phys., 69, 3729 (1991)
  23. Л.К. Орлов, Т.Н. Смыслова. ФТП, 39, 1320 (2005)
  24. A.M. Lam, Y.J. Zheng, J.R. Engstrom. Appl. Phys. Lett., 73, 2027 (1998)
  25. Л.К. Орлов, Н.Л. Ивина. ФТП, 36, 199 (2002)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.